soc工艺课件 双阱CMOS工艺幻灯片.ppt

文档介绍：双阱CMOS工艺制造流程
半导体制造:硅氧化、光刻、刻蚀、扩散、离子注入、薄膜淀积。
局部氧化工艺(LOCOS: LOCal Oxidation of Silicon):场氧化层覆盖整个硅片,通过厚的场氧化层来隔离CMOS器件。(>)
浅槽隔离工艺(STI: Shallow Trench Isolation):通过刻蚀一定深度的沟槽,再进行侧墙氧化,实现CMOS器件的隔离。(<)
LOCOS相对更容易理解CMOS工艺的制造流程。
简化的LOCOS流程:N阱→P阱→有源区→栅→pmos源/漏→nmos源/漏→接触孔→金属1 →通孔1 →金属2
1
完整的晶片
晶片的横截面
横截面放大
晶片
2
1-N阱(N-Well)
N阱的制作
衬底上生长SiO2
涂敷光刻胶
版图
剖面图
P型衬底
N阱掩膜版
氧化层
光刻胶
N阱掩膜版
3
1-N阱(N-Well)
N阱的制作
衬底上生长SiO2
涂敷光刻胶
曝光
N阱掩膜版
显影
N阱区域暴露
版图
剖面图
P型衬底
氧化层
光刻胶
N阱掩膜版
N阱掩膜版
4
1-N阱(N-Well)
N阱的制作
衬底上生长SiO2
涂敷光刻胶
曝光
N阱掩膜版
显影
N阱区域暴露
N型离子注入
磷离子等
去除光刻胶
版图
剖面图
P型衬底
N阱
磷离子注入
N阱掩膜版
5
2-P阱(P-Well)
P阱的制作
涂敷光刻胶
曝光
P阱掩膜版
显影
P阱区域暴露
版图
剖面图
P型衬底
N阱
N阱掩膜版
P阱掩膜版
P阱掩膜版
氧化层
光刻胶
7
2-P阱(P-Well)
P阱的制作
涂敷光刻胶
曝光
P阱掩膜版
显影
P阱区域暴露
P型离子注入
硼离子等
去除光刻胶
版图
剖面图
P型衬底
N阱
N阱掩膜版
P阱掩膜版
P阱
硼离子注入
8
2-P阱(P-Well)
P阱的制作
涂敷光刻胶
曝光
P阱掩膜版
显影
P阱区域暴露
P型离子注入
硼离子等
去除光刻胶
刻蚀氧化层
版图
剖面图
P型衬底
N阱
N阱掩膜版
P阱掩膜版
P阱
9
3-有源区(Active)
有源区的制作
淀积SiN
在SiN上涂敷光刻胶
有源区掩膜版
有源区掩膜版
SiN
光刻胶
P型衬底
N阱
P阱
P阱
版图
剖面图
10