文档介绍：武汉科技大学
硐士学位论文
种高性能低厌差线性稳压噬的研究与设计
姓名王海安
申请学位级别硕
专业电路与系统
指导教师,张涛
20100920
或汊科技大学硕
近年米随着整个电二产业的
口的功能超木超多旦复杂,这
办,不仅能参作为单移英片给其他5苯片内部给关键模块偿电
本文设计研究了一歌应用于SOC芯片中给PLL供电的LDO线性移压霸
本文首兆介组IDO的发展现狄,接下李洲述IDO线性穗应器的基础知识和主委的性
能指招。然后,对LDO线性稳压器最主要的两个参数,稳定性和电源抑制比,进行小信
号建模,给电路设计提侠班论指导。接下米对IDO功孔模坝迹行原理分砂并络出实际电
路实现。包挂茵随电序基准,浩差放大器、以及限流保护电路,并给出仿真结枝,最后给
出了LDO线性租压的整体仿真绿枝。
诙设计采用SIC6Snm标准CMOS工艺,用CadeneeSpecte对LD0线伯移压命进
行了整体的全面仿眙,最大输出货敌电流为0mA,线性调整玄为0018bV,负敌清敷率
为0014W&mA,何频PSRR为10494B。经流片后测试,该DO工作移定具有良好的
PSRR性能。
关镀词,低芸压线性租压霸,高PSRR负输议整,线性调整,带随电压基准
第2页或池科技大学硕上学论文
Apstract
InrecentyearsalongWiththeapiddevelopmentfheelectonieindustnslectonic
productsforheperfomnancerequirementshigherthanbeforeandslectonicproductfinetion
morscomplewhichbjectivelydemandsofslechonicproducthateryperfonnanceibeter
BecauseoryourbaterycapaigiinitedLowdropoutvoltelinearegulatorcanprolong
bateryifeandivenygoodtpowersupplyrpplesuppresionabiliytakocanbe
integatedintothechiplosupplypowertekeymoduleThispaperdesigsaLDOsupplypower
toPLLmoduleinSOCapplicatons
Thispaperinroducesthedevelopmentsttustheninroducethebasietnowledgeoflinear
regulatorsandthemainperfonnanceindexesNextonthemainLD0Olinearregulatortyo
parametersstbiiiyandPSRRPfovidetheoreticalguidanceforciiouitdesignEvenymodule
LDOprincipleanabysisandgivespnactiealcineuitimplementationIncludingthebandap
volgereferencestheerorampliferandlinitcdflowandprotcetcieuiimulationsult
FinalyshowihewholeLDOSsimulatonresules
ThisLDOisdesignedonthebasisofSMIC65nMstundardCMOSprocessthefront
goodperfommanceinPSRR
KeywordsLowDropoutVolmgeLinearRegolatoriighPSRRLoadRegolationLine
RegulatonBandtopVolageRefernee
武汉科技大学
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