模拟电路课件s2.ppt

文档介绍：、(电阻率)的不同,可将固体材料来划分导体、绝缘体和半导体。半导体材料:硅Si和锗Ge以及***化镓GaAs等。半导体特点:(1)光敏特性:当受外界热和光的作用时,半导体的导电能力明显变化。(2)掺杂特性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使半导体导电能力明显改变。—相邻原子共有价电子所形成的束缚。本征半导体——化学成分纯净的半导体。物理结构上呈单晶体形态。、空穴及其导电作用空穴——共价键中的空位。电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴-电子对载流子——自由运动的带电粒子。共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以本征半导体的导电能力很弱。+4+4+4+4在其它力的作用下,空穴吸引附近的电子来填补,这样的结果相当于空穴的迁移,而空穴的迁移相当于正电荷的移动,因此可认为空穴是载流子。本征半导体的导电机理:本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即自由电子和空穴。x1x2ab温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。(1)本征半导体的电子空穴成对出现,且数量少;(2)半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电;(3)本征半导体导电能力弱,并与温度有关。结论:,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。N型半导体——掺入五价杂质元素(如磷)的半导体。P型半导体——掺入三价杂质元素(如硼)的半导体。,而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供;空穴是少数载流子,由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子,因此五价杂质原子也称为施主杂质。+4+4+5+4多余电子磷原子N型半导体中的载流子是什么?1、由施主原子提供的电子,浓度与施主原子相同。2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子(多子),空穴称为少数载流子(少子)。