模拟电子3.ppt

文档介绍：§(场效应管)、符号和型号:由两个PN结、三根导线和一个外壳组成。符号中箭头的方向表示发射结正向偏置时的电流方向。三极管三个区域,其作用不同,因而在制作时每个区的掺杂浓度及面积均不相同。基区很薄,掺杂浓度低,多子浓度很低;发射区掺杂浓度高,多子浓度也很高;集电结面积大于发射结面积,但多子浓度低于发射区。这是三极管的内部结构特点,也是三极管具有电流放大作用的内部条件。§§,集电结反偏。对于NPN型管,从电位的角度来看,三个电极间的电位关系UC﹥UB﹥UE;而PNP型管,极性正好相反,即UE﹥UB﹥UC。,在三极管三个电极上便产生三种不同的电流:发射极电流IE由发射区多子的扩散运动形成;基极电流IB由复合运动而形成;集电极电流IC由漂移运动而形成。IE、IB、IC的关系:IE=IB+IC。§(1)发射区向基区扩散载流子由于发射结处于正偏,发射区的多子(自由电子)不断扩散到基区,形成发射结扩散电流IEN,其电流方向与扩散方向相反;基区中的多子空穴也要扩散到发射区,形成空穴电流IEP,电流方向与IEN相同,由于基区浓度远小于发射区,IEP很小。同时扩散出去电子又不断从电源补充,形成发射极电流IE。可得:IE=IEN+IEP+IBN§(2)载流子在基区扩散和复合由于基区很薄,其多数载流子(空穴)浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区的空穴复合,形成较小的基极复合电流IBN,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。基区被复合掉的空穴由电源UBB从基区拉走电子来补充,形成基极电流IB。§(3)集电区收集从发射区扩散过来的电子由于集电结反偏,强大的内电场可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,。显然,ICN=IEN-IBN§(4)放大的实质§,构成发射极电流IEN的两部分中,IBN是很小的,所占的百分比是大的。与IBN之比用表示,称为共发射极直流电流放大系数。将集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比称为三极管的共发射极交流电流放大系数。即§