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量子阱半导体激光器的温度特性李再金’,芦鹏,李特,曲轶,薄报学,刘国军,马晓辉报/引言发光学蠰摘要:研究了,琎;激射波长为的:す馄髟焊接、打孔、切割、打标、划片、医学等领域有着广泛的应用。与:す馄飨啾龋氲继寮す器有许多优点,如体积小、重量轻、效率高、寿命长、可直接调制、易于集成等旧U庑┯诺闶沟氲继寮す馄髦苯哟鍺篩激光器第卷第年文章编号:/、阙值电流、转换效率和光谱随注入电流及管芯温度变化的特性。结果表明,器件在—℃.,周值电流由;恍视降低到.%.光谱漂移为痲卣魑露任J笛榻峁砻鳎13制骷阅艿奈榷ǎ谑际应用过程中应该使器件的温度控制在~℃范围内。关捷词:半导体激光器;蒻;阈值电流;温度特性中圈分类号:文献标识码:.琈’ご豪鞹大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春叩,獂,—.:髇:癿瑃莄’甌℃℃..甌.%.%./℃收稿日期::修订日期:基金项目:同,家然科学基金;吉林省科技发展计划手钊作者简介:牵再金唬校A钟苁魅耍┦浚饕4邮麓蠊β拾氲继宄汗庀际醯难芯俊簂痜.,矿珻·,簊..“籺籺
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峁胩致氲继寮す馄餍酒牧辖峁器件结构成为可能,特别是在短距离测距和瞄准系统等对体积、。国外对癿半导体激光器的研究已经比较成熟。。¨辏琘等研究/氲继寮す馄鞯奈露忍性¨,甋等报道了激光波长为¨/氲继寮す馄鞯娜忍匦砸籡。然而,对/氲继寮す馄的温度特性的研究尚未见诸报道。本文从应用的角度出发,研究了穖/氲继寮す馄骼迕譩模块的输光功率、阈值电流、转换效率和光谱随注入电流及管心温度的变化特性。半导体激光器在工作时会产生一定的热量,特别是对高功率的器件,热特性问题就更为突出。,以便根据系统的实际需要设置半导体激光器的工作点,调试系统达到最佳性能。测试结果表明:温度变化会引起阔值电流、斜率效率、最大输出功率和光谱的变化,器件工作时温度应该控制在。℃范围内才能保持器件性能稳定。半导体激光器的激射波长主要由材料组分、量子阱宽度、应变量等因素决定。本激光器材料采用/牧咸逑怠NA死┱应变量子阱的激射波长大于畉匦朐加其中的组分。组分增加会使应变量子阱应变增大,不利于器件的稳定工作。为了使器件稳定鳎颐窃诹孔于迮砸肓擞Ρ洳偿层【2蓆脱菇鹗粲谢喑粱赟掺杂牡咨仙ぃの露任℃。在的%压应变量子阱有源层和腎波导层之间生长的%张应变评莶悖床钩波导层和量子阱层之间的应变。生长出高质量晶体。图2捎糜Ρ洳钩サ腎チ孔于宸直鹣拗萍す馄鞑牧辖峁雇迹下限制层分别为半导体激光器器件有单管、列阵迕譩和叠阵郻堆叠钢纸峁梗饫锊捎美迕譩结构。半导体激光器厘米话阌墒龇⒐单元组成,,发光区宽度为穖。首先利用磁控溅射的方法在外延片表面沉积一层缓罄帽曜嫉墓饪碳