ITO界面调制层对GZO电极LED器件性能的影响.pdf

文档介绍：,2012文章编号:1000-7032(2012)02-0210-06ITO界面调制层对GZO电极LED器件性能的影响Y_yY晶1’2,李喜峰2,石继峰2,张建华1’2+(-.海大学机电工程与自动化学院,上海200072;。上海200072)摘要:采用磁控溅射制备GZO和具有ITO界面调控层的GZO(ITO/GZ0)透明导电薄膜作为大功率LED的电流扩散层,对比研究界面调控层对LED器件性能的影响。研究结果表明,ITO/GZO薄膜的透过率在可见光区达80%以上,退火后的ITO/GZO薄膜有较低的电阻率(×10。Q·cm)。ITO调控层的介入能够调制GZO表面粗糙度,有利于改善LED外量子效率,降低GZO/p—GaN界面的接触势垒,提高LED器件的光电性能。通过ITO界面调控后,,发光强度从245mcd升到297med,提高了20%;驱动电流为35mA时,,提高了50%。关键词:LED;ITO/GZO薄膜;界面调控层中图分类号:TN301文献标识码:ADOI:-dopedZnOElectrodeWANGWan-jin91'2,LIXi—fen92,SHIJi—fen92,ZHANGJian—hual·2+(,ShanghaiUniversity,Shanghai200072,China;,ShanghaiUniversity,Shanghai200072,China)}·mail:******@:Indium—Tin—Oxide(40nm)/Ga—dopedZnO(140nm)(ITO/GZO)andGZO(180nm)filmsweredepositedontobothglasssubstratesandp-ronsputteringastransparentcurrentspreadinglayerofGaN—-ditions,theITO/GZOfilmsexhibitehightransparency(一80%)invisiblelightandlowresistivity(×10。Q·cm).TheroughnessoftheITO/