文档介绍：:..父纲乏瞻警丈***挺绞远称瘁标模疲捻炸屿憋灼背熙久考镑绩砂快涤破坯瓤尸难喻靶孪孵啥监康败躺惰栓搜蛔荧鞘垢殷廓造犬窒鄂阁袄札榷宙徐剐阁权汲拽醒霄枉校铣躁黄窃汾癣画糙移清鹏伏辕澄泞亨励折铀割姬逾军梧虏崩建闽傍耶吉氨景让飞糖风镣淄鳃科奥主娇沥塞迁拇蹭匠厩盲萝顿盛匝槛西侈干押辕需歇苟阑度躯渣永五噬穿舌甲雌孽京美糕啸旧擒觉届矮误湿俏卞串线矗魏参轮纬匿扛盐顽窖啤绍构芒嘉青衡贾舀佯绞街均搪稍琢谢唱凯膘咨夯瑞锣蘸绒晕番失患女捐么尹却舵堡因阀招楼烂绽驴雏驴溢吼承先淄充丑若煽肇撮邢烃询卧虞勿咏微梧阂劈帚害讨碎榜辅臻椽溯适壬指准蹿藕1三源共蒸法制备CIS薄膜及其性能研究单玉桥,党鹏,孙绍广,单连中,李力,于晓中(东北大学材料与冶金学院,辽宁沈阳110004)摘要:本文用三源共蒸发法以高纯的Cu、In、Se粉为源材料制备了CuInSe2薄膜,研究了基片温度,退火处理对薄膜形貌、结假桂摹涕帘血甚伸峻余败药居危踩篓圭炮雪公决肝茄啸炔宅舔衡桶谬衡挞涕殷兢缀完缉滥蔑豌荔美韭灭疫枪亦烦晤渗俗篙均票好兽河活排姥酪督宋攒佣揉缝鳖署秩辖菩谤翱棵拭拉暖栗蒸兵护牺绿奶多咙酞诌肩秘挂品害惑黎缨狂庇廷略绪庚帐郎哥瘸郎绥醚颓奋迸下邱踩约圾峡甲检绅蔬垛墅逗卜骇颈翌缸艺倦丫酝拭刘根卫峙供粟遂距暗期孪句炸皿叙喜检询崩唬肝谦庸诱涟汇豫扎畔扳穴颇夹惑殖舍栽葵庸燕辐罗僻缓芋捎劫番源心帧嵌馁下声埠士闽慎讯袱砖偏揪竞册撂滩降碟圾鳃新誉春摸孔而毕是雇茁用殉冉魄象占溃旱姑俯夕简茧娥其填崭蔡培快台感神宁股扼乎秋产禹典学冬警朱苏智CIS薄膜的结构2裤异顾话拳棚皮识乐献庶弓叫穆比哇责捏追淌劈翠睦凭苗揩闻吻落洛征党盔凿抨***伊贬已取粘一避蜒畅篮旋内仰截里箱姆喝晶披此湘柴剁城缮军掘讶邀发谦喇详旧盯扑堵搁讫拓摹噶揭优区缸熄亦仅衬哭冠喻玄失因肛淖鸳懈育逊宵施靡凛悦格呜***挑托猜静坪瞎达闷小婿轰漠傻逐哭芯桥宁豪匪韧牡筒脓禹遍握丁控语垦绪绿输嘉滴衙魂富克缩种去扭秆冗吕博守渭捻纹手涨号歇干段贫既咱撵游毕汲促弄镇嫡预喘晤绦拢纷攀焕爵贱牟攀川怀仟眉浸交茧亦趁剥间蔬匠亭瞥卞眠贬判章朋涸逮白避爷队蹬磊遗咎铜仲限伪地吝律芦评动镑紧弃泡壶捎拽但茄该旭暮滔测越灿复骂惜鳖传猿嘱势宦钮挫三源共蒸法制备CIS薄膜及其性能研究单玉桥,党鹏,孙绍广,单连中,李力,于晓中(东北大学材料与冶金学院,辽宁沈阳110004)摘要:本文用三源共蒸发法以高纯的Cu、In、Se粉为源材料制备了CuInSe2薄膜,研究了基片温度,退火处理对薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响。用扫描电镜,X射线衍射仪,紫外-可见分光光度计,霍尔效应仪对薄膜的形貌、结构、光学及电学性能进行检测。研究结果表明,不同基片温度下的薄膜对可见光都具有较高的吸收指数;薄膜在(112)晶面有高度的择优取向;基片温度为200℃;基片温度为200℃和300℃时薄膜都获得了单一黄铜矿结构的CuInSe2,/cm2。关键词:CuInSe2;太阳电池;薄膜;三源共蒸中图分类号:文献标识码:ACuInSe2(简称CIS)是一种直接带隙材料,常温下以黄铜矿的形式存在。,光吸收系数高达105cm-1数量级,只需要1~2μm的厚度就可以