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射频磁控溅射低温制备非晶铟镓锌氧薄膜晶体管信恩龙,李喜峰铝谭妫畲貉牵沤ɑ发光学报捅要:利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧薄膜,采用湎哐苌表征薄膜的晶体结,获得的狪猅聊器件的场效应迁移率大于,琣第卷第朗年月文章编号:—构,原子力显微镜鄄炱浔砻嫘蚊玻止夤舛燃撇饬科渫腹饴省=峁砻鳎菏椅轮票冈螴∧の7晶态且薄膜表面均匀平整,可见光透射率大于%。将室温制备的薄膜作为有源层,在低温跫鲁晒Φ刂票噶烁诛匦垦醣∧ぞ骞狪~·ǎ9乇仍嘉,阈值电压为倾兄蛋隍约为痙,偏压应力测试兄档缪顾媸蔽氏蛴移啤关键词:非晶钢镓锌氧薄膜;薄膜晶体管;场效应迁移率中图分类号:.文献标识码:.虾4笱滦拖允炯际跫坝τ眉山逃恐氐闶笛槭遥虾—,—珻—,琙‘,簂甧.:甌瑂,猺,.瑃.%狪~·ǎ甌’/┤掌冢甇基金项目:国家自然科学基金;上海市科学技术委员会项目手钅作者简介:信恩龙,男,。.痜,—篴;;:,
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:的比例搭配的混合型氧化物,具有较高的迁移率虽然能够在低温下制备,但由于其迁移率较低而不适合应用于:本文采用射频溅射方法在室温下制备了甀∧ぷ魑S性床悖臀轮票竌.ⅰ。、、,。接着溅射┢骷峁谷缤数分析仪测试骷氖涑龊妥R铺匦郧摺图窃诓AС牡咨仙さ腎∧さ对所制备的非晶薄膜进行了试,工作模式设定为接触式,原子力大小和扫描频薄膜的表面非常平整,适合作为薄膜晶体管的有年,等在上首次报道了非ā一銽制造工艺能够与目前的猄占嫒輀∽具有迁移率高、透过性好以及可低温制作等优点引,已成为大尺寸、高分辨率有源矩阵有机发光二极管允竞腿嵝韵允镜淖罴亚际鮗—虽然迁移率较高,但由于制备温度较高而无法在不耐高温的柔性衬底上制备。然而,=饩觯缥榷ㄐ浴⒖煽性约捌骷艺的优化等甀∧ぃ云涔獾缧阅芙辛搜芯俊2捎采用A;澹绷鹘ι浜度约为的金属钼并光刻出栅电极。然后,在化学气相沉积低持谐粱厚的1∧ぷ魑Uぞ挡悖な钡钠逦厚的饪出源漏电极。再射频溅射厚度约为的有源层∧ぃ詈蟛捎肧:蚇,魑G驱体,沟道保护层。∧⒕。计住4油贾锌梢钥闯鲋挥幸桓龇瞧仿峰,无尖锐的晶体衍射,表明所生长的薄膜是非晶结构。率分别设定为。图鴐了在室温制备的薄膜的表面形貌。从扑慊得的表面均方根粗糙度.,表明源层材料。在可见光区域具有高透过率是透明氧化物半导体薄膜的一个重要特性。图隽朔蔷薄膜úAЩ在波段的报第卷。.所示一孛媸疽庳图薄膜的苌渫和薄膜的接触式原子力显微镜图片发光学。网疢/、】兰
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