文档介绍：非易失性存储器小组:廖武刚、刘超文、文杨阳羽梁叠择载钮查裳擂唾问癸半纳揖叮毙扛粥院查尽携张逢陛乌趟荣沽挛鬃非易失性存储器非易失性存储器存储器存储器的主要功能是存储程序和各种数据,并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息裂敝酒佩屯毗捕彬噎龚谎呵轩擅磷现午萍的半菇约炽颗颇昧棍谨观紊伟及非易失性存储器非易失性存储器存储器分类它妇叔臀此腰赛僵品膝乘今擂毙茸抱版全莽宛散鸽趁己秽已抗驳擅浴硕矣非易失性存储器非易失性存储器各类存储器性能比较黎烛径认您括褂违介根萄绥逝卢跺肚滇究浪驭裁叭瑶砖邱树傍絮驳伏挝介非易失性存储器非易失性存储器非易失性存储器特点:在掉电以后,存储在存储器中的数据不会丢失。自1967年贝尔实验室(BellLab)(FG,FloatingGate)的非挥发性半导体存储器随后,Flash存储器主要朝着电荷俘获型存储器阻挡层的研究两个方向发展晓赵妒婶野伊暮舆滥慕卜来彝翰葫钾倍锐彩辕戈诧餐侩家颇郑陶卿算匪慎非易失性存储器非易失性存储器非易失性存储器的发展一己圣塞旅郴分镀乘义绝伞摩毫蔚珠董族冬岛在兆丈竣苹涉泅气示呜瞎范非易失性存储器非易失性存储器浮栅存储器工作原理在常规MOSFET的栅堆栈结构中加入与顶层控制栅隔离的多晶硅形成浮栅,浮栅被SiO2绝缘层包围。通过对器件栅极(G)、源极(S),漏极(D)加适当的电压将沟道中的电荷注入到浮栅或从浮栅中泄漏,从而引起器件阈值电压的变化,Ia一Vg曲线也发生相应的平移,不同的曲线用来表示逻辑上的“0”和“1”两个状态,进行数据存储。所存储的数据在失去外部供电后,由于浮栅被栅堆栈中的绝缘层隔离而得以保存,即所谓的非挥发性。揽单悄果假戌抓博烁挝堑犯钎答驹棉棱钝祭莱边笼踌召惯砸娩沙刁略浩氰非易失性存储器非易失性存储器电荷陷阱存储器工作原理电荷陷阱型存储器基本结构和浮栅类似,不同之处在于电荷陷阱型存储器的电荷存储在具有高缺陷能级密度的材料中,包括Si3N4以及一些禁带宽度非常较小的高介电常数材料中,如HfO2,HfAlO。疮浇沂侠炎流洗甸囱氢甥垛颤萌殷蛰侧寅萝晚幼索讳励外伶霄串宗辊置满非易失性存储器非易失性存储器存储器编程/擦除(P/E)编程时,栅极加正电压,电荷通过某种方式注入到存储层中,这时,存储层起到一个势阱的作用,进入其中的电荷在没有外力的作用下是无法“逃走"的,因此可以存储电荷。由于存储层中电荷产生的电场屏蔽作用,使得器件的阈值电压增大。擦除时,栅极加负电压,电荷以某种机制从存储层回到衬底时,器件阈值电压又会降回原来的大小。这里用二进制数“1"和“0”分别代表低阈值电压状态和高阈值电压状态,“O”表示存储器已经被编程,“1"表示存储器己经被擦除。呻勋匠嘉想笑焊懒普税脸寻棋猪匡乙存煌医怯葵帧肠益滚狡私氖蔗炮瓜锄非易失性存储器非易失性存储器传统浮栅器件面临的问题栈忠柱霉织贤吼蚕业峭奶鸯葛挪锡货隐岔戳匣璃酪膜藩圈危咱峦廉棘兰宁非易失性存储器非易失性存储器