文档介绍：NVRAM产品概述演示NVRAM产品概述赛普拉斯提供行业中最快与 最节能的非易失性RAM解决方案赛普拉斯是NVRAM市场的领导者2赛普拉斯提供最丰富的串行和并行非易失性随机存取存储器产品系列F-RAM™:行业中最节能的串行NVRAMnvSRAM:行业中最快的并行NVRAM 赛普拉斯提供行业中最节能和最可靠的多种F-RAM产品系列F-RAM只消耗最先进的EEPROM的30%的功耗,但提供了比EEPROM高100,000,000倍的擦写周期容量从4Kb至2Mb,-RAM产品可以支持SOIC8,DFN8与EIAJ的封装形式集成实时时钟也在nvSRAM产品中提供 赛普拉斯提供了工业中最快的串行nvSRAM产品系列访问时间范围从20ns到45ns,具有无限次的读写周期容量范围从64Kb到16Mb,,I/、x16、x32SRAM并行接口并可支持不同的封装类型并在nvSRAM产品中集成了实时时钟功能赛普拉斯:是第一个生产F-RAM和nvSRAM产品的公司,拥有25年以上的经验并且继续大量投资新产品保证提供的产品满足最严格的汽车和军用标准承诺长期提供F-RAM和nvSRAM产品已经销售了10亿片的NVRAM芯片赛普拉斯提供工业中最快、最节能和最可靠的NVRAM解决方案,以存储和保护世界上最重要的数据NVRAM产品概述演示串行的非易失性存储器术语非易失性存储器(NVM)掉电时,存储器仍保留信息非易失性随机存取存储器(NVRAM)非易失性存储器允许完全随机的直接存储数据铁电性随机存储存储器(F-RAM)使用铁电技术来保存数据的写速度快、高耐久性和低功耗非易失性存储器上电时可擦除并且可编程的只读存储器(EEPROM)使用浮栅技术保存数据的通用非易失性存储器页写对存储器长度固定的连续模块进行写操作等待时间数据出现在输入缓冲区后,完成EEPROM页写操作需要5ms时长写入次数非易失性存储器单元磨损前,可以对其进行的重写操作次数耗损均衡技术一种延长EEPROM写入耐久性的方法,该方法使用8倍的容量和一个软件算法,以便在达到有效地址上的写入耐久性限制之前将存储移位到未使用的存储器内AEC-,许多电子器件必须将系统数据保存在非易失性存储器内对于每个页写操作,EEPROM需要保持5ms的有效供电由于写等待时间限制所以需要增加额外的电容或电池,以便在掉电时支持页写操作,这样会提高成本并降低其可靠性重要的任务数据会受到辐射和/,需要使用耗损均衡技术耗损均衡技术需要8倍的x存储器容量和其他软件,-RAM方案将会解决所有这些问题由于没有写等待时间,因此完成页写操作时不需要增加额外的电容和电池支持一百万亿个写操作,不需要使用耗损均衡技术有效功率的功耗比EEPROM的小两倍到五倍,因此能够降低系统功耗F-RAM单元受伽马辐射容差而且不受由磁域造成的损坏赛普拉斯F-RAM提供一亿次的写操作而功耗只有EEPROM的30%4NVRAM产品概述演示串行F-RAM是更好的解决方案提供电源的额外电容每一次页写操作的5msEEPROM等待时间简化一个基于EEPROM的通用、复杂设计…F-RAM引脚至引脚的兼容(对于EEPROMSOIC8)选择F-RAM作为你的串行的非易失性存储器解决方案…为各种应用程序,特别是具有关键任务的应用程序提供更好的解决方案,并且需要较低的成本。5汽车电子工业控制智能电表多功能打印机医疗设备文件系统存储器控制器受损单元需要8倍的EEPROM的容量用于耗损均衡技术如需要2x256Kb应用在只需要64Kb容量的系统需要提高EEPROM写入耐久性的耗损均衡技术软件算法EEPROM写入耐久性NVRAM产品概述演示特性F-RAMF-(周期)10141012106105激活写电流13mA6mA10mA15mA容量范围4Kb-2Mb4Kb-2Mb1Kb-1Mb4Mb-512Mb非易失性保留100年10年100年20年1条件:最大电流,SPI,从10MHz到40MHz,,−40°C到+85°C赛普拉斯串行NVRAM对比竞争对手的方案6NVRAM产品概述演