文档介绍：自驱动同步整流简介    自驱动同步整流简介    类别:电源技术      自驱动方式是最简单的同步整流驱动方式。图示于图1中。两个二极管DF及DR由MOSFETQF及QR取代。在自驱动技术中,变压器二次侧电压用于驱动同步整流元件QF及QR的栅极。在图1中,虽然没有展示出,但在变压器的二次侧可以用独立的绕组去驱动正向同步整流的QF或回流的同步整流的QR,这可通常用与初级绕组的不同匝数比的绕组做为栅驱动绕组。这种方法适用于输出电压更高的场合。图1自驱动同步整流图2给出谐振复位正激自驱动同步整流工作于连续导通型的波形图,画出QF、QR的源漏电压的工作波形,同时给出初级侧MOSFET的源漏波形。第一个问题:对自驱动同步整流即是QF、QR的两个体二极管的导通间隔。在最佳导通状态下,谐振式复位将出现在初级侧MOSFETQ1进入关闭时,在输入低线时,Q1漏电压在Q1再次导通前刚好回到输入电压值处。在输入低线处,变换器会工作在最大占空比DMAX状态,假设变换器设计于2:1的输入变化范围,占空比反比于输入线路电压,。在谐振复位的变换器中,复位时间间隔在整个线路变化范围内是不会变化的。。这就很清晰,在传统最大50%占空比时,该时间间隔最大只能是25%的开关周期。再观看图2,在此糟糕的时间间隔内,QF及QR的体二极管处于导通状态,正向整流MOSFET为导通流过折算到二次侧的负向磁化电流。此刻回流的MOSFET正携带着电感电流与正向MOSFET电流之差值电流。QR的体二极管的导通在如此长时间的间隔是非常不希望有的,这将使损耗大增。还有,由于体二极管携带大电流,在初级边MOSFETQ1关断时,其反向恢复时间将会很严重。正向的MOSFET还将在此时间间隔内因为体二极管流过磁化电流,也会增加导通损耗。当然,由于磁化电流通常要比负载电流小得多,这项损耗与回流开关相比不是很太大。图2谐振复位正激自驱动同步第二个问题:对于自驱动同步整流,即是在线路电压变化范围内RDS(ON)的变化。低压MOSFET适合于自驱动同步整流,其导通电阻RDS(ON)系对应VGS=,最大栅压允许为±20V。整流的同步用QF的栅由正比于线路电压的某一电压驱动,而回流的MOSFET的栅由变压器复位期间的一个恒定电压驱动,设计师必须选择一个合适的匝比NP/NS给主功率变压器。以便在低端时足以驱动整流的MOSFET。使之达到低线的欧姆值范围。设计的折衷出现在高端线路,此时,它可能超出整流用MOSFET的最大栅源电压范围。对于标准通讯用输入范围的36V~75V;合理的选择应是大约6:1,在低线这将给出6VVGS以驱动整流的MOSFET,在高线时,。一个MOSFET的实验数据展示出其RDS(ON)在此VGS范围内的变化,对一些MOSFET这个变化会超过1