文档介绍：摘要摘要本文采用直流磁控溅射技术在玻璃基体上制备了不同Ag含量的Ag-ITO纳米颗粒复合薄膜,并在大气气氛不同温度下进行了退火处理。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和原子力显微镜分析了复合薄膜的微观结构。X射线衍射分析表明:Ag-ITO纳米颗粒复合薄膜中,ITO组分仍保持In2O3的体心立方结构,未观察到Ag的衍射峰;随着退火温度从200升高至400℃,vol. %Ag-?,;300℃退火后,随着复合薄膜中Ag含量从vol. %增加到vol. %,?,。扫描电子显微镜分析表明:未退火的Ag-ITO纳米颗粒复合薄膜表面由尺度为30-40nm的颗粒构成,这些纳米颗粒尺寸分布均匀,这与后面透射电子显微镜的分析结果一致。原子力显微镜分析表明:随着退火温度从200升高至400℃,vol. %Ag-;300℃退火后,随着Ag含量从vol. %增加到vol. %,Ag-。用X射线光电子能谱分析了薄膜的化学组分,结果表明:退火前后的Ag-ITO复合薄膜中均只含有C、O、In、Sn和Ag元素而并无其他杂质存在;退火处理和Ag组分的引入都有助于薄膜中的In和Sn元素更充分地氧化生成In2O3和SnO2;高温退火可以促使薄膜中Ag或/和Ag2O进一步氧化生成AgO。用表面轮廓仪和椭偏解谱软件拟合透射光谱的方法分析了Ag-ITO复合薄膜厚度,结果表明:拟合得到的膜厚与轮廓仪测量的膜厚一致性较好,复合薄膜的厚度为120-130nm。用紫外-可见光分光光度计分析了不同Ag含量的Ag-ITO复合薄膜在不同退火温度下的透射谱,反射谱和吸收谱,研究结果表明:随着退火温度从200升高至400℃,vol. %Ag-%,%,%;300℃退火后,随着Ag含量从vol. %增加到vol. %,Ag-%,%,%。IAg-ITO纳米颗粒复合薄膜的制备、微结构及光电性质表征II采用椭偏解谱软件拟合透射光谱的方法分析了Ag-ITO复合薄膜在可见光范围内的光学常数,研究结果表明:随着退火温度从室温升高至400℃,vol. %Ag-,。用四探针测试仪研究了Ag-ITO复合薄膜的电学特性,研究结果表明,随着退火温度从室温升高至400℃,vol. %Ag-ITO复合薄膜面电阻先从210减小到34后增大到103?/?,这与ITO薄膜面电阻随温度的变化规律一致,且Ag-ITO复合薄膜的面电阻比ITO薄膜的面电阻低,表现出了良好的导电性能。最后,我们根据效能因子和分光比综合评判了不同Ag含量的Ag-ITO复合薄膜的光电特性,阐述了具有不同效能因子和分光比的透反射导电薄膜的适用原则。关键词:Ag-ITO纳米颗粒复合薄膜,微结构,透射,反射,电学特性Abstract Abstract Ag-ITO posite films with positions were prepared on glass substrates by DC ron co-sputtering deposition and annealed at different temperatures in air. X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM) and atomic force microscopy (AFM) were employed to investigate the microstructure of the Ag-ITO posite films. According to XRD results, ITO content in posite films keeps In2O3 crystal structure (bcc), and Ag diffraction signal was unde