文档介绍：廛乒:【。丛筮一日苏州大学学位论文独创性声明本人郑重声明:提交的学位论文是本人在导师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不含其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果,也不含为获得苏州大学或其他教育机构的学位证书而使用过的材料。对本文的研究作出重要贡献的个体和集体,均已在文中以明确方式标明。本人承担本声明的法律责任。论文作者签名:期:
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中文摘要决这些问题,用低介电常数推和超低介电常数材料替代传统的层间绝随着超大规模集成电路中器件密度不断提高、特征线宽不断减小,器件密度和连线密度的增加使得器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容增大,导致的增大,进而使得信号传输延时增加、干扰噪声增强和功率耗散增大。为了解缘介质,降低绝缘介质的介电常数,成为可能的途径。作为最有希望替代的材料,多孔徒榈绯J低尼∧げ牧系玫饺嗣歉叨裙刈ⅰ在湍岜∧げ牧嫌τ糜诔蠊婺<傻缏肥保夹慰淌词枪丶墓ひ罩一。与传统的介质刻蚀相比较,由于∧ぶ写嬖诳紫叮员∧た淌绰会随着薄膜密度的降低而增加,从而导致沟槽刻蚀的粗糙度增加、分枝结构的形成、刻蚀深度的改变,结果使沟槽的刻蚀变得难以精确控制。由于推弑∧げ牧中除了、猓拱薈、A擞行У乜刂乒挡劭淌吹拇植诙龋枰T诳淌的同时,使3滞壤目淌矗虼耍谔挤壤胱犹逄砑晌?淌吹痛植度沟槽的可能途径。但是,由于壤胱犹宥怨饪探壕哂星逑醋饔茫佣现赜跋刻蚀的选择性,因此,如何利用/碳氟等离子体在虸薄膜中刻蚀低粗糙度沟槽成为一个重要的问题。本论文以实现∧さ牟坌慰煽乜淌次D勘辏捎肅疉旌掀宓档缛蓠詈系壤胱犹.,,开展了线宽为癿沟槽的刻蚀研究。通过研究的添加量、低频功率对刻蚀槽形的影响,获得了刻蚀低粗糙度沟槽的可能途径。通过对沟槽形貌的扫描电镜鄄臁⒃恿ο晕⒕分析以及对沟槽成份的湎吖獾缱幽谱治觯⑾衷高频功率为、⒐ぷ髌刮保淌吹难烦现很好的槽形,沟槽表面无篎残留,槽形陡直,底部平整,槽底部的粗糙度为沟槽粗糙度的降低与槽底面疭勘鹊脑黾佑泄兀强淌粗斜∧け砻娴腟瓹键
,高频、低频功率组合下,通过在气体添加适量,可以实现多孔关键词:多孔∧ぃ籆壤胱犹澹徊坌慰淌矗凰档缛蓠詈戏诺作者:崔进推弑∧す挡鄣腃档壤材料槽形的可控刻蚀。指导教师:叶超中文摘要
觚—//猠—襝瑃瑆弘.,,“’,狫瓾,,甌,缓骹瓾,.琱荒醘—
~瑃铡ⅱ鬳:英文摘要推弑∧す挡鄣腃疉.、..疭甀———猄.;、七篿籨::
目录第四章/等离子体刻蚀∧す挡鄣拇植诙燃俺煞址治觥/等离子体对光刻胶的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第一章绪论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯。§本课题组的主要研究内容⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§本文的研究内容⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第二章样品制备与实验方法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⒉.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§刻蚀槽形的扫描电镜鄄臁第三章蚹薄膜沟槽的/,等离子体刻蚀及形貌分析⋯⋯⋯⋯⋯..∧た淌垂挡鄣酌娲植诙人娴推倒β实谋浠叵怠§低介电常数蚃牧系难芯勘尘啊§多孔推弑∧さ闹票阜椒ā.⒉‥.§∧さ目淌捶椒ā∧§刻蚀槽形的原子力晕⒕当碚鳌§沟槽成份的湎吖獾缱幽芷分析⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯一§氧流量对∧げ坌慰淌吹挠跋臁§刻蚀时间对∧げ坌慰淌吹挠跋臁璴§低频功率对∧げ坌慰淌吹挠跋臁璴∧げ坌慰淌吹腁分析⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.
§本文研究的主要结果⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..∧た淌垂挡鄢煞炙娴推倒β实谋浠叵怠第五章结论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..§存在的主要问题和进一步的研究方向⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..参考文献⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.攻读学位期间公开发表的论文⋯⋯