文档介绍：论文作者签名:孟勉』礒苏州大学学位论文独创性声明期:为心甮本人郑重声明:提交的学位论文是本人在导师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不含其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果,也不含为获得苏州大学或其他教育机构的学位证书而使用过的材料。对本文的研究作出重要贡献的个体和集体,均已在文中以明确方式标明。本人承担本声明的法律责任。.
猢牵’乡易沙学位论文使用授权声明在——年——月解密后适用本规定。丝:竺:墨本人完全了解苏州大学关于收集、保存和使用学位论文的规定,既:学位论文著作权归属苏州大学。本学位论文电子文档的内容和纸质论文的内容一致。苏州大学有权向国家图书馆、中国社科院文献信息情报中心、中国科学技术信息研究所蚍绞莸缱映霭嫔、中国学术期刊馀贪电子杂志社送交本学位论文的复印件和电子文档,允许论文被查阅和借阅,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存和汇编学位论文,可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索。涉密论文口本学位论文属非涉密论文口论文作者签名:期:日导师签名:
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中文摘要随着超大规模集成电路中器件密度不断提高、特征线宽不断减小,器件密度和连线密度的增加使得器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容增大,导致阻容耦合的增大,进而使得信号传输延时增加、干扰噪声增强和功率耗散增大。为了解决这些问题,用低介电常数椭统徒榈绯J七牧咸娲车层间绝缘介质,降低绝缘介质的介电常数,成为可能的途径。作为最有希望替代的材料,多孔低腟薄膜材料得到人们高度关注。在蚹薄膜材料应用于超大规模集成电路时,薄膜的刻蚀是关键的工艺之一。与传统的介质刻蚀相比较,因为∧ぶ写嬖诳紫叮薄膜刻蚀率会随着薄膜密度的降低而增加,从而导致薄膜粗糙度增加、侧向微枝结构的形成和刻蚀深度发生改变,这使得薄膜刻蚀变得难以精确控制。为了解决这些问题,用双频电容耦合放电产生的碳氟等离子体,在∧さ目淌粗械玫街匾Sτ谩但是,使用碳氟等离子体刻蚀∧な保赟薄膜的表面会沉积篎层,表面篎层的存在抑制了有效刻蚀的活性基团和能量向∧け砻娴拇洌而影响∧た淌葱阅堋本论文以实现∧さ目煽乜淌次D勘辏芯苛薈档缛蓠詈系壤子体瓹淌碨薄膜时,篎沉积对∧た淌吹挠跋臁1疚牟用的双频电容耦合等离子体,通过改变低频信号的功率,控制∧け砻娴腃:粱芯苛薈:粱許薄膜刻蚀行为的影响。通过刻蚀后∧そ峁沟母盗⒁侗浠缓焱夤馄治觥⒈砻娉煞值腦射线光电子能谱分析、表面形貌的原子力显微镜治觯⑾滞ü岣叩推倒β剩∧け砻娴腃:惴⑸舜又旅芨哺遣悖蕉嗫證:悖教畛銼薄膜孔隙的篎层的演变。在篎层致密覆盖∧な保荒苁迪諷薄膜的刻蚀;当篎层呈多孔覆盖层或填充∧ぜ湎妒保梢允迪諷薄膜的刻蚀。通过∧た淌词钡姆诺绲壤胱犹骞馄追治觯珻:粱刺谋浠氲离子体空间拿芏扔泄亍R虼耍捎肅档缛蓠詈系壤胱犹寮际酰ü等离子体刻蚀蚹薄膜时篎沉积的影响与控制
高低频功率,控制∧け砻娴腃:粱悖梢允迪諷薄膜的可控刻蚀。关键词:多孔∧ぃ珻壤胱犹澹淌矗珻:粱作者:施国峰指导教师:叶超中文摘要等离子体刻蚀蚹薄膜时篎沉积的影响与控制
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目录第一章绪论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.§低介电常数材料的研究背景⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§本课题组的主要研究内容⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§本文的研究内容⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第二章实验样品的制备及性能表征方法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.§多孔蚹薄膜的制备方法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯...⒉ǖ缱踊匦舱竦壤胱犹逶砑蚪椤.⒉‥沉积系统⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯...笛椴问∧.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯∧そ峁沟母盗⒁侗浠缓焱夤馄妆碚鳌∧こ煞值腦射线光电子能谱治觥∧け砻嫘蚊驳脑恿ο晕⒕当碚鳌∧た淌吹腃壤胱犹宸⑸涔馄追治觥第三章等离子体刻蚀的∧そ峁褂胄阅芊治觥§低频功率对∧⋯⋯⋯⋯⋯⋯.壤胱犹蹇淌吹腟薄膜表面成分分析⋯⋯⋯⋯⋯第四章等离子体刻蚀的∧け砻嫘蚊卜治觥第五章篎沉积的等离子体关联及对∧た淌吹挠跋臁第六章结论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.§本文研究的主要结果⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.§存在的主要问题和进一步的研究方向⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..§
参考文献⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯