文档介绍：万方数据
低维量子阱结构及其光学性质分子束外延生长亚稳态/:采用分子束外延技术在∠虻腎衬底上外延生长了亚稳态的。疢臀孔于褰不同阱宽的能带与光致发光实验比较,证明了,。/的导带带阶为为了进一步验证其能带结构,制备了电子掺杂的。。/的多量子阱,观测到半高宽很窄的中红外第卷第年文章编号:构。并通过光致发光和子带吸收方法,分析其能带结构。在单量子阱样品制备过程中,高能电子衍射强度振荡表明可以实现二维生长模式。衍射图样证明其为亚稳态闪锌矿结构。通过引入厚的。,一。空间层,抑制了垒层的相变,并能进一步提高样品的结晶质量,得到高结晶质量的多量子阱结构。通过计算,价带带阶为吸收。利用发光谱确定的带阶计算了量子阱中子带的吸收波长,和实验结果非常吻合。设计了一种双量子阱结构。计算结果显示,通过利用量子阱中的耦合效应,可以实现甿光通信波段的吸收。关键词:分子束外延;—族量子阱;闪锌矿;能带带阶中图分类号:.文献标识码::,黑龙江哈尔滨;琔.,—.聄琀。弧疢甀:,卜。,/,/,唬籗,.籚收稿日期:—.;修订日期:.—作者简介:李炳生,男,河北黄骅人,理学博士,主要从事半导体薄膜材料与光电子器件的研究。,,。痜簃粃;瓺琓,,.,
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验引言实,,。一,可以晶格匹配地生长在宽带隙Ⅱ.Ⅵ族化合物半导体能带覆盖了从Ⅱ.Ⅵ族化合物半导体还可以晶格匹配地生长在騁牡咨希梢缘玫礁咧柿康耐庋颖膜。此外,人们利用Ⅱ一Ⅵ族带阶大的优点,研究了Ⅱ.Ⅵ族量子阱、量子点等低维结构中的子带跃利用子带跃迁的光电子器件,其突出特点是工作波长连续可调,、增加器件稳定性的问题。种材料体系——亚稳态。形成。,唬琒辖穑牧系拇砜梢粤。子阱结构,。疢牡即孜.。为了进一步验证其能带结构,制备了电子掺杂的,疢亩嗔孔于褰峁梗鄄獾光通信波段的吸收。这种材料体系的界面简单,的半绝缘牡咨贤庋由ち藌。和。纳に俣韧ü饬子阱结构,就引入了厚的。紫外到红光的整个波段⋯,在显示、太阳能电池、光电探测等方面有着潜在和重要的应用。宽带隙迁特性圳,先后报道了超快光开关、量子级联量子结构等单极非线性器件,实现了在红外波段的应用‘俊赖引。通过控制量子阱的宽度,人们已经制备出了从中红外到远红外的探测器和激光器。基于Ⅱ.Ⅵ族量子级联器件和红外探测器件,利用其带阶大的优势,可以拓展器件的工作波长。子带跃迁的另一个突出特点是载流子的超快弛豫和三阶非线性系数大。根据这一特点,研究者设计了子带超快光开关的新型器件,以增加未来全光网络中超大容量数据传输的能力。这一器件要求带阶大,能够实现在光通讯波段的子带吸收,目前主要有//、痁/等量子阱结构这植牧咸逑刀家丫迪至瞬ǔぴ诠馔ㄐ挪ǘ在子带跃迁相关的研究中,我们引人了另一/低维量子阱结构。本文通过光学方法,结合理论计算,详细研究了这一结构的能带结构,为将来设计新的器件结构提供必要的基础。这个材料体系有几个突出的优点:;其次是界面简单,只有硒化物;三是带阶大,有可能实现近红外子带吸收。此外,。我们利用分子束外延技术