文档介绍：万方数据
分子束外延生长孔拥慵捌浣峁购凸庋匦王保柱唬沾溆,王晓亮实验稀有金属材料与工程氲继宀牧献魑5谌氲继宀牧希捎其禁带宽度宽、能带结构为直接带隙,化学与热稳定性好,具有巨大的应用价值,其相关材料制各及特性研究一直受到人们的广泛关注【】。目前,亮度蓝、绿光发光二极管袄豆饧す馄已经实现了商品化,并成功应用于固态照明、高密度光存储、彩色打印与大屏幕显示等领域,并且部分器件开始向紫光、紫外和深紫外延伸F渲写蟛糠址光器件都采用疓量子阱结构,然而采用疓量子阱结构的阈值电压和闷值电流密度都比较高。采用孔拥阕魑狶挠性床悖可以解决这一问题。量子点相对于具有二维限制作用的量子阱具有三维限制作用,已经有理论计算结果表明】,采用孔拥阕魑S性床愕腖哂械偷阈值电压和窄的激光光谱。而且,由于相对于疓量子阱,孔拥憔哂懈玫脑亓髯局域化效应,可以提高发光器件的发光效率】。为了获得量子点激光器的稳定长寿命工作,必须要求高密度、高均匀性的量子点层。目前人们大都采用—J的应变自组织生长方法制备孔拥赟生长模式下,当二维平面生长的浸润层达到俳绾穸时,外延生长发生转变,由二维平面生长转为三维岛状生长,从而形成自组装量子点。这种方法的优点是生长的量子点位错少,样品质量好;缺点是生长的量子点密度低,空间有序性差,尺寸涨落大,可调范围小,特别是对于组分较低的孔拥悖捎谄与愕木Ц袷浣闲。蝗菀追⑸矫嫔转为三维岛状,量子点密度低,量子点的尺寸不均匀。本研究在闵仙层,作为进一步生长量子点的诱导层,最终获得发光波长位于高质量的孔拥憬峁埂孔拥悴牧系耐庋由な窃诠鶵甅上进行的,氮源由高纯氮气经射频等离子体炉产生,高纯的铟和镓分别作为铟和镓源,衬底为圣的蓝宝石。生长过程分为以下几个步骤:首先把衬底放入生长室中,在罩械;;时的温度和髁糠直鹞℃和氮化后在衬底上生长左右的高温撼宀悖然后再生长笥业腉层,具体的生长工艺见文献。生长孔拥悴捎昧肆街址椒ǎ别为:,,北京摘要:采用射频等离子体辅助分子束外延甅际踉诶侗κ牡咨希庋由ち朔⒐獠ǔの挥量子点结构,研究了珊瞬慵际醵云浣峁购凸庋匦缘挠跋臁2牧仙す讨胁捎梅瓷涫礁吣艿缱友苌进行了在位检测,通过原子力显微镜庵路⒐炔馐允侄伪碚髁薎量子点材料的结构和光学特性。结果表明;相对于直接在闵献宰橹量子点,通过珊瞬慵际蹩梢曰竦酶呙芏取⒏咧柿康腎量子点结构,量子点尺寸分布更加均匀,⒐夥迩慷任V苯釉贕层上生长的孔拥愕倍,发光峰的半高宽较窄,关键词:铟镓氮;量子点;分子束外延文献标识码:笥基金项目:国家自然科学基金;:土保柱,男,年生,博士,讲师,河北科技大学信息科学与工程研究所,河北石家庄,电话:.,第卷正第期月的之间;量子点的密度更高,可以达到×/篒为中图法分类号:文章编号:一/收稿日期:—基金:產甤甆。
万方数据
罩蚕“¨】;峁胩致童■■品,在愕纳厦嫔层,作为子点的诱导层,在诱导层量子点,样品脱的结构分别如图和所示。闵す讨械F牧髁课./壤胱体输入功率为瓷涔β饰髀露任妫牡孜露任℃。钭拥悴闵す程中氮气的流量为/壤胱犹迨淙牍β饰牡孜露任℃,钢炉和镓炉的温度分别为℃。孔拥愕恼雠3す逃蒑设备上装配的性谖还鄄猓徊捎肈镜腘对样品进行了鄄猓还庵