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文档介绍：**机械工业出版社中等职业教育电气类规划教材《自动检测与转换技术》第八章多媒体课件2009-5-1更新**第八章霍尔传感器在这一章里,卡卡要给大家介绍霍尔传感器的原理、特性、霍尔集成电路(霍尔IC)及其应用。霍尔IC可以用于测量地球磁场,制成电罗盘;将霍尔IC夹在环形铁心的缺口中,可以制成大电流变送器。霍尔传感器还广泛用于高斯计、无刷电动机、接近开关等。霍尔传感器的最大特点是非接触测量。最基本的霍尔元件是一种四端元件第一节霍尔元件的结构及工作原理半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中,磁场方向垂直于薄片,当有电流I流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH,这种现象称为霍尔效应。磁感应强度B为零时的情况cdab磁感应强度B较大时的情况作用在半导体薄片上的磁场强度B越强,霍尔电势也就越高。霍尔电势EH可用下式表示:EH=KHIB霍尔效应动画演示当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,向内侧(d侧)偏移,在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。cdabadcb磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势若磁感应强度B不垂直于霍尔元件,而是与其法线成某一角度时,实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向(与薄片垂直的方向)的分量,即Bcos,这时的霍尔电势与法线的夹角的余弦成正比:EH=KHIBcos磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势演示结论:霍尔电势与输入电流I、磁感应强度B成正比。当B的方向改变时,霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场,霍尔电势为同频率的交变电势。acdb霍尔元件的主要外特性参数最大磁感应强度BM上图所示霍尔元件的线性范围是负的多少高斯至正的多少高斯?(1T=104Gs)线性区mVB霍尔元件的主要外特性参数(续)最大激励电流IM:由于霍尔电势随激励电流增大而增大,故在应用中总希望选用较大的激励电流。但激励电流增大,霍尔元件的功耗增大,元件的温度升高,从而引起霍尔电势的温漂增大,因此每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流,它的数值从几毫安至十几毫安。以下哪一个激励电流的数值较为妥当?。线性型集成电路是将霍尔元件和恒流源、线性差动放大器等做在一个芯片上,输出电压为伏级,比直接使用霍尔元件方便得多。较典型的线性型霍尔器件如UGN3501等。线性型三端霍尔集成电路