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La掺杂Bi4Ti3O12薄膜的溶胶凝胶制备工艺研究.pdf

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La掺杂Bi4Ti3O12薄膜的溶胶凝胶制备工艺研究.pdf

上传人:zhuhl0912 2014/4/2 文件大小:0 KB

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La掺杂Bi4Ti3O12薄膜的溶胶凝胶制备工艺研究.pdf

文档介绍

文档介绍:万方数据
LaBi4Ti30121王Bi4Ti3012(BT0)LaBkLi3012(BLT)TG-D1AxIuD言实验3玉引∧さ膞结果及分析稀有金属材料与工程(Bi4Ti3012)其具有独特的电学、光学和力学性能,在现代微电子、微机电系统、信息存储等方面有着广阔的应用前景。,自发极化转向受二维限制所致,因此改进性能是钛酸铋研究的重点,这主要包括两个方面:一是针对促进晶粒按照有利于其性能的取向进行定向生长,另一方面是珺位置换、掺杂等组成设计改性法。此外钛酸铋的剩余极化值仍较小,尚难以满足的要求,为BTO[31LaNdSmBi4Ti30245l劳性好、介电常数小、漏电流小、开关电压低等特点,但目前该类铁电薄膜仍然存在制备过程中处理温度过高~,而铋元素在高温下也易挥发,造成化学计量比难以精确控制,因此寻求低温处理技术是目前的一项任务。l液,用乙醇铋灾、钛酸正丁酯和硝酸镧作为原料,乙二醇、冰乙酸作为溶剂。然后用玻璃滴管小心将前驱溶液均匀地旋涂在基片上,并使其布满整个基片表面,这样做很必要,因为溶胶粘度大如果事先不让其布满基片,甩胶时在高速旋转时会导致部分基片表面仍不能被溶胶覆盖,甚至是将部分溶胶甩出。甩胶后500min92000min30s后,在℃下干燥可以获得凝胶膜,使膜中的有机物挥发,嫦略ご硎褂谢锶忌眨扛层后高温晶化min进行。图狟甌旱腡瓺曲线。,主要是由于有机溶剂的挥发,在℃1形态的钛酸铋粉末。℃为粉体晶化峰。在曲400这主要是由于有机溶剂的挥发和有机物的燃烧;从400500300作为预处理温度,热处理时间为min物充分燃烧,避免有机物碳化。图℃时晶化处理驜薄膜的、.,祊豕ひ荡笱В诹AFM()P111)TSi02SiSoIGel605次,℃干燥,娉谢铮℃快速热处理minBT0600炉冷却的薄膜均匀致密,随着含量增加薄膜晶粒细化。文章编号:..反转。形成“湿薄膜”,赡旱腡瓺结果及分析197315000l0451864020408404Bmail第卷l年1ENGnERING摘LaBLT中图法分类号:A收稿日期:—.(50502013)(QC05C06)******@mteduMElALalary62178s
万方数据
毳重1计住4油贾锌梢钥闯觯鲜龉ひ沾淼腂臼蟊Bi4Ti3012Bi2Ti209Bil2Ti020杂相,说明原材料中选择的铋源乙醇铋与钛酸四丁酯反应后可以有效地溶解在溶剂和催化剂形成的溶液550T'enlploC∧さ腁结果及分析3550BTO蚊餐肌S赏伎杉愫层的薄膜都比较致密平整,说明此种工艺制备的薄膜质量较好,但涂覆次数为次的薄膜略显粗糙。图℃处理温度下不同热处理方式得到的∧さ腁形貌图。由图中可见,快速热处理方式下得到的薄膜表面比较平整,颗粒较为均匀且颗(CTA)表面凹凸起伏明显且不平整,异常长大晶粒较多。由(RTA)大大缩短,有效抑制了组分挥发,薄膜有更好的表面状况。layer(staffguage)600Pt(111)riSi02Si甌.,,铁电薄膜,提高晶化温度希望能够获得择优取向有利于铁电性能的高5热处理时间3BToAFM稀有金属材料与工程第卷l赡旱腡瓺曲线2BTO550xRDfilmnealingsevemltime