文档介绍：万方数据
分子的荧光量子产量即荧光发射光子数与其唬硭弧8荧光发射强度影响因素及荧光猝灭实验研究鄢志丹,孙立东汗,胡小唐琍引言分子荧光发射强度影响因素式中,,确,志捌和是。。捌分别表示分子的荧光寿命、辐射摘要荧光发射强度在荧光显微术科学观测中至关重要。理论分析了三大影响荧光发射强度的重要因素:分子吸收激发光光子的能力、荧光量子产量及其荧光饱和与荧光猝灭,指出选择具有大光吸收截面和高量子产量的荧光分子,能有效保证荧光发射强度;确定合理的激发光强度范围,可避免不必要的荧光饱和现象。进一步实验研究了超高真空和大气环境下的荧光猝灭现象,得出超高真空时荧光分子的荧光猝灭现象和高空间分辨率的特点,通过高信噪比图像可研究诸如分子射强度的诸多内外因素,认为一般情况下,荧光猝灭是造成分子荧光发射强度逐渐变弱的主要原因,并通过自行搭建的激发单线态的最低振动能级立即返回至基态能级时而出射的要发射一定数量的荧光,其先决条件是分子对激发光光子的吸收。分子吸收的激发光光子越多,则越有可能发射出式中。,蚸直鸨硎咀芪掌德士怼⒌悍⒎溆ü饴和激发光波长。乳是与入射光波长相联系的重要指标,同时下分子的荧光发射能力会有所不同。所吸收的激发光总光子数—‰。妇取<亲鲋进一步地,靠也可用荧光寿命和辐射寿命之比表示,其取决于辐射和非辐射的跃迁过程缦导浯┰健⒛谧R坪驼寿命、荧光辐射速率、非辐射速率。档拇笮”砻饔ü庾第卷,第期光谱学与光谱分析极不明显,而大气环境可造成荧光光强指数递减的结论。关键词荧光发射强度;荧光饱和;荧光猝灭;荧光光谱中图分类号:文献标识码:痡..荧光显微术不仅可以像普通的反射式或透射式光学显微镜一样来评价样品形貌、探索宏观光学特性,观测集团分子的运动状况等,更由于分子荧光的特有发射机理,高灵敏度荧光寿命、荧光各向异性、荧光共振能量转移、荧光相关光谱分析和分子扩散迁移等。。利用荧光显微术进行相关研究时,经常遇到实验分子发射荧光逐渐变弱的现象,这会对荧光图像、荧光光谱数据的后期分析造成不小的困难,甚至会出现结论上的差错。基于此,深入分析了影响分子荧光发实验设备,以生长在云母衬底表面的联六苯琾分子为研究对象,实验研究了真空与大气环境下的荧光猝灭现象。依据光子发射路径和激发态电子排布的不同,光致发光可分为荧光和磷光。荧光是分子吸收光能后被激发,从第一光S跋旆肿佑ü夥⑸淝慷鹊囊蛩匕鲋匾5姆矫妫①分子吸收激发光光子的能力;②荧光量子产量;③外部因素引起的荧光饱和与荧光猝灭现象。荧光分子吸收激发光光子的能力更多的荧光光子。通常用光吸收截面氏这一指标来衡量分子吸收激发光光子能力一琧//与分子的电偶极方向密切相关。一般而言,不同波长激发光荧光量子产量动弛豫等呐锒运俾剩猺痳一愚耐/奁惫Ⅻ曲泄痛笱华东畔⒂肟刂乒こ萄г海蕉嗟执拇笱笛槲锢硌芯克佑氡砻婵蒲担碌乩鸄旖虼笱Ь苣缡约际跫耙瞧鞴抑氐闶笛槭遥旖收稿日期:——。修订日期:——基金项目:国家自然科学基金青年基金项目,中国奥地利国际合作项目..,嗟菏锌萍挤⒄辜划项目—一和天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室开放课题资助作者简介:鄢志丹。年生,中国石油大学6信息与控制工程学院讲师:.
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№笛椴糠疽軲面式硎灸骋挥ü夥肿覯占し⒐夤庾幽芰縝后跃迁至第一激发单线态从Ψ⑸涑瞿芰课4挠ü夤庾能有效降低荧光采集难度;确定合理的激发光强度范围,