文档介绍：万方数据
L20BNSi3N4L介电性能的影响邵颖峰,贾德昌,周151实验玉嘴,天线罩和天线副。此外,作为降低介电常数和热压烧结氮化硅广泛的应用于切割刀具和高温结构与功能材料,如气体涡轮发动机,火箭、激光喷介质损耗的一种策略,多孔氮化硅也应用于电磁透波材料【。氮化硼陶瓷具有比氮化硅陶瓷更好的热稳定性和更低的介电常数、介电损耗。其分解温度、介电常数26403202x10硼较氮化硅有低的弹性模量和高的热导率,这可以提t31为应用背景,国内外对氮化硅基陶瓷材料的常温与高温力学性能,介电以及烧蚀性能进行了一些研究,表明氮化硅与氮化硼复合的陶瓷具有稳定的热物理性能、优异的介电性能和优良的力学性能,能够承受在高马赫数飞行条件下对天线罩材料防热、承载、透波341本研究采用气氛烧结工艺,通过在原料中加入不PMMA20BNSi3N4多孔复合陶瓷材料。研究了气孔率对复合陶瓷力学性2133GHz原料Si3N4Si3N4a含量大于%,>,Y203A1203PMMA将酆体积分数,下同%Y20315A1203(90m)孔剂按一定比例混合均匀后。通过冷等静压成型,在450到多孔坯体。将上述方法制备的多孔坯体埋入装有Si3N4BN5050稀有金属材料与工程豕ひ荡笱刂痔沾裳芯克诹PMMA325-45820BNSi3N4()PMMA布在基体中。研究了气孔率对复合陶瓷力学性能与—关键词:氮化硅:介电性能;多孔陶瓷h-BN995球成孔剂的形貌实验过程基金项目:国家自然科学基金资助项目和哈工大优秀科技创新团队1981150001egi045186402040者:贾德昌,博士,博导,电话:—第卷焦2月METALATERIALSGHz档椭中图法分类号:A1002185X(2009)S20479-041收稿日期:—·V0138Suppl2
万方数据
,跨距衄,加载速度为2阻炉和高纯气氛中进行无压烧结,烧结制度为2性能测试材料的体积密度采用测量材料的质量和体积获得,复合材料的室温抗弯强度通过在岛津电子万能试AGIs503RINT2000xHitachiS-4700(SEM)12Q样尺寸为西力学性能图3煽准梁慷疭复合材料气孔率和抗弯强度的影响,随着造孔剂的加入量的增加,%,这是因为球分解离开基体形成的气孔阻碍了烧结的致密;此外,随着气孔率的增加,强度随之降低,多孔陶瓷强度与气孔的表述为:aoP气孔率。所以强度随气孔率的增加呈指数下降。22Si3N4BN31750Si3NdBNXRDSi3N4aSi3N4si3N44PMMA疊春咸沾傻谋砻嫘蚊睸照片。可以看到,由球分解造成的球型孔分布较为均匀,基体中还有一些更为细小的孔,这是由于烧结的陶瓷本身未致密所造成的,还可以清楚地看到孔中随机分布的长Si3N4(4d)BN章的堆砌。介电性能陶瓷的气孔率是影响材料宏观性能的主要微观指图煽准梁慷疭复合材料气孔率和抗弯强度和。是从由虯YSiA1ON≥℃烧结的疊春咸沾傻腦图谱稀有金属材料与工程第卷hmmmin。的影响鼍34多孔/春喜牧系谋砻嫘蚊睸照片℃sphere(b)10PMMAsphere(c)20PMMAsphereand(d)the480蚤山Content20BNSi3N4苫℃BNSi3N4d_IliMD_Jtlo_‘磊。磊一
万方数据
!!!烈;荋仍tan3标之