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不同形貌光催化剂光腐蚀性能差异研究引言崔恩田甌.—“吕功煊★泄蒲г豪贾莼锢硌芯克驶铣捎胙≡裱趸抑氐闶笛槭遥贾§。影响光催化剂太阳能利用效率的因素主要为两个方面:一是半导体催化剂光生载流子的复合率高,导致量子效率较低:,而紫外Ⅸ。然而,文献报道诠獯呋从探硪追⑸飧矗取⑾:光腐蚀的发生导致催化剂稳定性差。近年来的研究发现,。如与其它半导体复合⒂氪蠼榭孜镏是逗、与聚合物作用形成复合催化剂翱7⑻娲牧等。例如等报道在擅妆∑腃电极表面分别包裹聚二烯丙基二甲基氨和聚乙烯亚胺。可有效抑制墓飧矗篖等¨制备的第卷第期学摘要:利用溶剂热法和水热法,合成;不同形貌的,,獯呋蹋⒖疾炝怂堑目构飧葱阅堋Sü馐笛楸砻魇柿康耐掺杂取代后得到的,.≯晶体具有良好的光生电子一空穴对的分离性能,有利于光生载流子的快速转移;不同形貌是导致样品抗光腐蚀性能不同的重要原因:此外铜掺杂量和晶体结晶度都对催化剂光腐蚀性能有重要影响。关键词:光催化;硫化物;光腐蚀;形貌;结晶度文章编号:,:.文献标识码:—:,.甌收稿期:..。。。通讯联系人。:..第一·作者:;研究疗向:比倦化制氧。.’.琇簆籹;;;
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隒⒎桨舻闹票福悍直鸪迫∷狭蛩笛椴糠咖。グ糇次锏闹票福悍直鸪迫∷狭蛩峁胩致罚叶/贜疦黃芤褐斜硐殖鼋虾玫目构腐蚀性能:∽。尽管目前在改善构飧葱阅芊矫嫒〉昧艘欢ǖ某晒鲜方法都局限于对砻娼行奘胃男裕悠浔身结构出发对其光腐蚀性能进行研究的报道却很少。目前大量研究表明半导体催化剂的形貌对其催化活性和抗光腐蚀性能具有重要影响。,。。。。试剂、仪器及测试条件水合硫酸!,水合硫酸铜·磷酸二氢钾和巯基乙酸篶均为分析纯,使用前未做进一步处理。.,管压,管流,扫描速度甿~,步宽。扫描范围谖。捎孟低匙源墓烫逄讲馄;荧光激发与发射光谱于室温下在型荧光光度计上测得:.瓷湓谌毡镜航蚬紫外一光谱仪器上测得。不同形貌光催化剂制备纯罚悍直鸪迫∷狭蛩犸觢土姿二氢钾苡乙醇水溶液%校拌,,绦从匀焕渲粒掷耄经蒸馏水和无水乙醇充分洗涤后在℃下干燥镉蛩嵬和磷酸二氢钾乙醇水溶