文档介绍：东南大学
硕士学位论文
SiGe BiCMOS与CMOS低噪声放大器的设计
姓名:刘鑫
申请学位级别:硕士
专业:电路与系统
指导教师:李智群
20070301
摘要随着现代通信技术的飞速发展和市场需求的不断提高,对射频接收机的性能提出了更高要求。对于接收机中的射频电路模块而言,低噪声是一个非常重要的指标。。论文首先介绍了低噪声放大器设计的基本射频理论知识;然后介绍了低噪声放大器基本的结构框架以及各种结构的优点;论文重点介绍了两种低噪声放大器的结构选择、匹配方法、优化设计以及电路仿真和版图绘制。低噪声放大器采用两级设计,,输出肷凳N恼轮氐憬樯芰舜朔糯笃鞯姆抡嬖硗嫉挠可变增益低噪声放大器采用信号加成式可变增益结构【】,外加线性校正电路实现了良好的线性值增益控制。电路采用了宽带的匹配方式,。最后电路的设计功耗为,.,淙隤..,:低噪声放大器、鍵、、信号加成式为接收机的第一级其性能直接影响整机性能。;后级采用简单的共射极结构以满足线性度的要求。此低噪声放大器的设计直化过程、后期的测试以及后仿真与测试结果分析。
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埤一业毕签名:窒』壁丝:导师签名:签名:兰学位论文独创性声明期:互关于学位论文使用授权的说明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得东南大学或其它教育机构的学位或证书丽使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。东南大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆有权保留本人所送交学位论文的复印件和电子文档,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。除在保密期内的保密论文外,允许论文被查阅和借阅,可以公布刊登畚牡娜ú炕虿糠帜谌荨B畚牡墓ú包括刊登谌ǘ洗笱а芯可喊炖怼冷分
第一章引言§低噪声放大器在通讯系统中的作用§低噪声放大器的工艺实现随着个人无线通讯市场的繁荣和扩大,人们对各种无线通讯工具的要求也越来越高。一个完整的射频一/质结虰S隒ひ障啾龋ḿ凸ひ沼辛礁雒飨缘挠诺悖阂皇窃谙嗤钠玫缌飨拢绲收发系统包括前端和基带处理部分,前端又称作收发器,它决定着整个系统的基本性能指标,如误码率、发射功率、信道的抗干扰能力等。而低噪声放大器挥赗邮栈淖钋岸耍苯痈杏μ线接收到的微弱信号,并对其放大,然后传递给后级进行处理,是整个接收通道最关键的模块之一。我们知道,系统接收灵敏度的计算公式如下⋯:,在各种无线通讯系统中,能有效提高灵敏度的关键因素就是降低接收机的噪声系数。对于多级级联系统,第一级的噪声性能对整个系统性能影响最大,后续级的噪声对系统的影响可以通过提高前级增益而减小,所以,要得到良好的总体系统性能,关键在于设计性能优越的前端。因此决定接收机的噪声系数的关键部件就是处于接收机最前端的低噪声放大器。它一方面要提供足够增益以满足后级电路要求,另一方面必须具有较低的噪声系数,同时还要求良好的输入输出阻抗匹配和线性性能以及低功耗、大动态范围等。集成电路工艺技术在近年获得了飞速发展,集成电路的特征尺寸正在向深亚微米发展。特征尺寸的减少,提高了器件的工作速度和集成电路的整体工作指标。高速发展的集成电路工艺技术为通信系统的发展奠定了基础。目前的射频集成电路工艺包括、双极虲ひ铡9ぷ髌德首罡叩氖荊骷是一种化合半导体材料,最高频率可以达到,在超高速微电子学和光电子学中占据了重要地位,近几年来在超高速和低噪声电路中发展极快。用在射频集成电路中的双极型工艺包括:双极、异大,从而有利于在较低功耗下获得高增益;二是有较高的增益带宽积,可以提高工作频率。异质结是由不同半导体形成的结。异质结双极晶体管是发射区采用轻掺杂的宽带隙材料,基区采用重掺杂的窄带隙材料,同时得到高增益和高频率。抢孟冉耐庋蛹际酰庋覵魑;乃ḿň体管,目前主要应用在高频大功率器件和微波集成电路,它较的优势在于成本低和易于集成。工艺把技术低电压的、高密度数字电路的优点和母咚俣攘己玫慕岷显谝黄穑非常适用于通信领域的高度集成的混合信号集成电路设计。目前,工艺集成电路的需求正在急剧增长。与低噪声放大器的设计
§论文的主要难点§论文的内容安排§.,该芯片模块将应用于卫星通信接收机前端;工作频率为缏饭ぷ髌德试虼硕