文档介绍：超大规模基集成电路制造技术姓名: 罗伟专业班级: 电子与通信工程学号: 122212065 学院: 中南大学物理与电子学院 1 光刻技术:发展路径及未来趋势摘要: 光刻技术作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一, 一方面在过去的几十年中发挥了重大作用; 另一方面, 随着光刻技术在应用中技术问题的增多、用户对应用本身需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步凸显等等,寻找解决技术障碍的新方案、寻找 COO 更加低的技术和找到下一俩代可行的技术路径,去支持产业的进步也显得非常紧迫, 备受人们的关注。就像 ITRS 对未来技术路径的修订一样, 上世纪基本上 3~5 年修正一次, 而进入本世纪后, 基本上每年都有修正和新的版本出现, 这充分说明了光刻技术的重要性和对产业进步的影响。关键词:光刻技术;纳米器件;分辨力增强; Photons ; Particles 1介绍光刻技术是在一片平整的硅片上构建半导体 MOS 管和电路的基础, 这其中包含有很多步骤与流程。首先要在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶, 随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板( MASK )照射在硅片上。被照射到的部分( 如源区和漏区) 光刻胶会发生变质,而构筑栅区的地方不会被照射到, 所以光刻胶会仍旧粘连在上面。接下来就是用腐蚀性液体清洗硅片,变质的光刻胶被除去,露出下面的硅片,而栅区在光刻胶的保护下不会受到影响。随后就是粒子沉积、掩膜、刻线等操作,直到最后形成成品晶片( WAFER )。 2 光刻技术的纷争及其应用状况众说周知, 电子产业发展的主流和不可阻挡的趋势是"轻、薄、短、小", 这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨率, 即提高可以完成转印图形或者加工图形的最小间距或者宽度, 以满足产业发展的需求; 另一方面, 光刻工艺在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响, 这也要求光刻技术在满足技术需求的前提下, 具有较低的 COO 和 COC 。因此, 光刻技术的纷争主要是厂家可以提供给用户什么样分辨率和产能的设备及其相关的技术。 2 .1以 Photons 为光源的光刻技术在光刻技术的研究和开发中, 以光子为基础的光刻技术种类很多, 但产业化前景较好的主要是紫外(UV) 光刻技术、深紫外(DUV) 光刻技术、极紫外(EUV) 光刻技术和 X 射线(X-ray) 光刻技术。不但取得了很大成就,而且是目前产业中使用最多的技术,特别是前两种技术, 在半导体工业的进步中,起到了重要作用。紫外光刻技术是以高压和超高压***(Hg) 或者***-氙(Hg-Xe) 弧灯在近紫外(350 ~ 450nm) 的3 条光强很强的光谱(g、h、i线)线, 特别是波长为 365nm 的i 线为光源, 配合使用像离轴照明技术(OAI) 、移相掩模技术(PSM) 、光学接近矫正技术(OPC) 等等, 可为 ~ μ m 的大生产提供成熟的技术支持和设备保障, 在目前任何一家 FAB 中, 此类设备和技术会占整个光刻技术至少 50 %的份额;同时,还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术的要求。光学系统的结构方面,有全反射式(Catoptrics) 投影光学系统、折反射式(Catadioptrics) 系统和折射式(Dioptrics) 系