文档介绍：(1HNMR)(shieldingeffect)对于理想化的、裸露的氢核,实现核磁共振的条件:0=B0/(2)实际上,氢核受外围不断运动着的电子影响。在外磁场作用下,运动着的电子产生与外磁场相对抗的感生磁场(B0),对H核起到屏蔽作用,使氢核实际受到的外磁场作用减小。因此,对于氢核来说,相当于产生了一种减弱外磁场的屏蔽,使氢核实受磁场减小。Beff=B0-B0=(1-)B0:屏蔽常数。越大,屏蔽效应越大,实受磁场越小。实现核磁共振的条件应改为:0=Beff/2=(1-)B0/2由于屏蔽效应的存在,产生共振需更强的外磁场。B0=20/((1-))在化合物中,不同基团上的H核的化学环境不同,其外围的电子云密度不同,故它们的也不同。当用固定频率的射频照射时,不同H核共振所需要的外磁场强度B0也不相同。因此,不同化学环境的H核的共振峰将出现在NMR谱图上的不同磁场强度的位置。例如,CH3-CH2-Cl中,两种不同环境的H核将不同场强处产生共振吸收峰。由此可得出以下结论:如果H核外围的电子云密度减小,则其屏蔽效应减小,减小,实现共振所需要的外磁场B0亦减小,共振峰出现在低场。如果H核外围的电子云密度增大,则其屏蔽效应增强,增大,实现共振所需要的外磁场B0亦增大,共振峰出现在高场。扫场低场高场CH3-CH2-,使它们产生共振需要不同大小的外磁场强度来抵消屏蔽效应的影响。当用同一射频照射样品时,样品分子中处于不同化学环境的氢核,所产生的共振峰将出现在不同磁场强度的区域。这种共振峰位置的差异称为化学位移。,用这一相对位置来表示化学位移:δ=(Bs-Br)Br亦可表示为:δ=(vs-vr)vr样品核和标准核的共振频率虽有差异,但都在仪器射频附近变化,相差仅约万分之一。为了表示方便,通常用下式计算化学位移:δ=((vs-vr)v0)×106(ppm):(1)12个氢处于完全相同的化学环境,只产生一个尖峰;(2)屏蔽强烈,位移最大,共振峰在最高场区,与其他有机化合物中的质子峰不重迭;(3)化学性质稳定;易溶于有机溶剂;沸点低,易回收。当用重水作溶剂时,标准物质可选用:DSS(2,2-二***-硅戊烷-5磺酸钠)四***硅 Si(CH3)4(TMS)规定四***硅的TMS=0规定TMS=0ppm,在其左侧的峰的为正值,在其右侧的峰的为负值。化学位移也曾经用τ来表示。τ=10-屏蔽效应强,共振需要的磁场强度大,共振峰在高场出现,其值小。屏蔽效应弱,共振需要的磁场强度小,共振峰在低场出现,其值大。