文档介绍：单位代码 10445
学号 2009020959
分类号 TN304
硕士学位论文
论文题目: GaN 纳米结构的 CVD 法制备与表征
学科专业名称微电子学与固体电子学
申请人姓名位晓凤
导师姓名石锋副教授
论文提交时间 2012 年 04 月 10 日
独创声明
本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的
研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其
他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得(注:如
没有其他需要特别声明的,本栏可空)或其他教育机构的学位或证书使用过的材
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并表示谢意。
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学位论文作者签名: 导师签字:
签字日期:2012 年月日签字日期:2012 年月日
山东师范大学硕士学位论文
目录
摘要................................................................ I
Abstract ........................................................... III
第一章绪论........................................................ 1
GaN 的结构和性质............................................ 1
晶体结构............................................... 1
基本性质............................................... 3
GaN 纳米材料研究概况........................................ 4
纳米材料简介........................................... 4
GaN 纳米材料的研究进展................................ 5
衬底的选择............................................. 6
GaN 材料的合成方法.................................... 7
GaN 材料的应用.............................................. 7
本论文的选题依据............................................. 9
第二章实验设备及测试方法简介...................................... 11
实验设备................................................... 11
实验材料................................................... 11
实验过程................................................... 12
样品测试与表征............................................. 12
第三章 CVD 法制备 GaN 纳米线的研究................................ 15
蒸发源为 Ga:CaF2=1:2 时 GaN 纳米线的制备.................... 15
最佳实验条件的确定.................................... 16
一维 GaN 纳米线的合