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上传人:durian 2014/5/6 文件大小:0 KB

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SiC材料P型掺杂的第一性原理研究.pdf

文档介绍

文档介绍:北京化工大学
硕士学位论文
SiC材料P型掺杂的第一性原理研究
姓名:张云
申请学位级别:硕士
专业:凝聚态物理
指导教师:邵晓红
20100528
牧螾型掺杂的第一性原理研究摘要宽禁带导体材料涤行矶嘤旁降奈锢硖匦裕馐沟盟诟呶拢咂担大功率,以及极端化学环境下具有广泛应用。目前,对于牧系牡缱结构,缺陷态,表面、界面态等方面已有了不少理论和实验研究。其中,对于筒粼忧叭搜芯拷隙啵杂赑型掺杂的空间结构,电子结构还没有一个系统的研究。本文采用基于泛函理论框架下的第一性原理软件对牧螾型掺杂空间结构,电子结构进行研究。主要研究内容如一、系统计算了募负魏偷缱咏峁梗ň褰峁梗艽峁梗态密度。结果表明:且恢旨浣影氲继宀牧希募鄞电子主要由约癝峁即椎缱又饕S蒘毕住二、系统的计算了不同掺杂物珹珿韵嗤ǘ炔粼覵时的几何结构和电子结构,包括晶格常数,能带结构。结果表面:在相同浓度下,掺的禁带宽度最大,其次是,禁带宽度最小的是M保ü冉对于同一掺杂物,在掺杂浓度不同时,我们发现:随着掺杂优ǘ鹊增大,禁带宽度随之减小;而随着掺杂,原子浓度的增大,禁带宽度随之增大。三、系统的计算了粼覤,,在不同浓度下的态密度,分波态密度,电荷密度分布,从而分析掺杂物不同,浓度不同时,造成其禁带宽度改变的微观机理。四、计算了粼庸山鹗鬡,,后磁学性能,结果表明:,掺杂保琕得到几何结构最为稳定;而掺杂判宰钗稳定,其次是,铁磁性最弱的是关键字:粼樱谝恍栽恚琕缱咏峁下:北京化工大学硕士学位论文
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导师签名:卫≮日期:—竺生尘——一主查主主盛幺保密论文注释:本学位论文属于保密范围,在上年解密后适用本授≯ひ籗,魄:二叩北京化工大学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。作者签名:日期:关于论文使用授权的说明学位论文作者完全了解北京化工大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属北京化工大学。学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许学位论文被查阅和借阅;学校可以公布学位论文的全部或部分内容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存、汇编学位论文。权书。非保密论文注释:本学位论文不属于保密范围,适用本授权书。
且恢址浅S驳牟牧希溲钍夏K故且恢只Ф栊圆牧希第一章绪论牧衔锢硖匦约把芯恳庖牧系奈锢硖匦牧嫌捎诰哂杏帕嫉娜任榷ㄐ院突榷ㄐ裕洗蟮娜鹊悸省⒏叩缱颖ズ推速度、高击穿场强、宽带隙等优点,在抗辐射、耐高温、高频、大功率等半导体器件方面具有巨大的应用潜力。而且,它也是一种较为理想的短波长发光材料,可以用于制备紫外探测器、薄膜发光二极管及光致发光材料,在光电子器件领域中具有广阔的应用前景。近年来,∧さ闹票浮⑻匦院陀τ醚芯砍晌R淮笕鹊悖梢栽ち纤孀研究的深入和一些关键性技术难题的解决,诩傻缏返任⒌缱悠骷械墓惴河⒘ρШ突灾在室温下与任何物质都很难发生化学反应。┥⒔隨体内,因而掺杂只能通过注入或者直接生长进入迥诘姆绞嚼词迪帧A硗猓琒不存在液相而是在摄氏度以上直接升华。依赖于温度,在升华阶段其蒸气为、癝按一随着墓剐痛恿⒎浇峁沟涞酵耆嵌讯獾腪甋,其带隙宽度相应的从增加到俊<钢殖<腟构型的带隙宽度为:角率呈线性关系而且导带底在占涞奈恢靡灿隨的构型有关【】。如此带隙宽度使梢杂τ糜诟呶禄肪持小5缱哟蛹鄞降即娜燃し⑹沟肧缱悠骷薹ㄓτ糜诟温环境,而这对于宽带隙缱悠骷床怀晌侍狻⒒鞔┑绯∏慷在电力应用方面,最受到关注的性质是击穿电场强度。这一性质决定了材料在被击穿之前所能够承受的最高电场强度。对于掺杂浓度为/的牧希浠鞔┑场强度为痗;而对同样掺杂浓度的材料,其击穿电场强度仅为⒌缱颖ズ推扑俾屎颓ㄒ坡用指日可待。定比例的混合物。⒋犊矶.。实验测出拇犊矶扔肫涔剐偷牧/,这还不至材料击穿场强的。北京化工大学硕士学位论文..;.籞】
这比很多金属的传导率还要高./。辐射器件、存储器件及光电集成器件的等方面应用前景十分广耕㈨。对于高频的电子器件,电子饱和漂移速率是一个比击穿电场强度更为重要的性质。牡缱颖ズ推扑俾适以,这是的两倍。高饱和电子漂移速率对于微波器件产生高频信道电流是非常重要的。另外,