文档介绍：指导老师:张海明教授天津工业大学理学院专业:凝聚态物理姓名:胡国锋二九年十二月
学位论文作者签名:宏玛圜锋朔因锑学位论文版权使用授权书独创性声明\签字日期卿。年/月日签字日期:/辏聑或撰写过的研究成果,也不包含为获得云洼王些太堂或其他教育机构的学位或本学位论文作者完全了解云洼王些太堂有关保留、使用学位论文的规定。特授权丞洼王些太堂可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行签字日期:/辏聑本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究成果,除了文中特别加以标注和致谢之处外,论文中不包含其他人已经发表证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。检索,并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编以供查阅和借阅。同意学校向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘。C艿难宦畚脑诮饷芎笫视帽臼谌ㄋ得学位论文作者签名:导师签名:
温度、硅基上蒸发镀膜的质量等因素对制备硅基0宓挠响,并进一步研究了硅基0宓纳せ怼二、通过二次阳极氧化法,改善了硅基0宓谋砻嫘蚊病法结合二次阳极氧化法,制备了厚度约学位论文的主要创新点一、在制备硅基墓讨校芯苛搜艏趸奔洹⒌缃庖并利用颜色指示法研究了不同硅基样品,对制备超薄硅基模板的影响。以此为指导,直接对硅基进行一次阳极氧化,成功地获得厚度约的超薄硅基0濉M保醚丈甘的超薄硅基0濉三、利用溶液、磷铬酸和不同浓度的磷酸溶液对板进行湿法刻蚀,发现质量分数为サ牧姿崛芤菏窍嗟蔽潞偷目淌剂,适合对0褰卸靠淌础M保徊窖芯苛嗽诳淌垂程中产生的擅紫叩男纬苫恚⒌贸瞿擅紫叩纳ぃ芙舛钥蚀速率的稳定起重要作用这一结论。
摘要0逡蚋叨扔行虻哪擅卓渍罅薪峁梗谟行蚰擅捉峁沟闹票钢械玫广泛的应用。当今,硅基光电子器件正向纳米层面推进,在硅基上制备可控有序的纳米结构变得尤为重要。人们已经成功地将0逡浦驳焦杌希票赋硅基0澹⒃诖嘶∩虾铣筛髦帜擅撞牧稀U庑┏晒阅擅坠獾缙骷制备具有重要意义。本论文围绕硅基0宓闹票刚箍J笛椋嘀赜诔」杌鵄模板的制备和0宓亩靠淌矗饕0ㄒ韵履谌荩诠杌鵄幸淮窝艏趸墓讨校ü凳钡缌骷嗖猓房刂硅基的氧化时间,成功制备了硅基0濉Q芯苛斯杌鵄模板的生长机理,得出精确控制氧化时间对成功制备硅基0寰哂兄匾R庖濉M保也研究了电解液温度、硅基膜的质量等因素对硅基票傅挠跋臁枚窝艏趸ǎ纳屏斯杌鵄模板的表面形貌。同时,利用颜色指示法结合实时电流监测法,探索了不同质量的硅基对制备超薄硅基0宓挠跋臁K婧螅隼靡淮窝艏趸ǎ票噶」杌鵄模板。并利用二次阳极氧化法,重点结合颜色指示法获得了厚度为的超薄硅基0濉ü齆芤骸⒘赘跛岷筒煌ǘ鹊牧姿崛芤海訟模板进行湿法刻蚀,发现质量分数为サ腍的刻蚀效果最佳,刻蚀期间模板质量的减少与刻蚀时间呈良好的线性关系,这适合于0宥靠淌础A硗猓诳淌过程中发现了大量的擅紫摺U庑┠擅紫呤怯捎诳淌匆憾訟模板孔壁的刻蚀而产生的。。关键词:硅基谎趸奔洌怀。谎丈甘痉ǎ豢淌
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