文档介绍：硕士学位论又中国科学技术夫学掺杂纳米〈虐氲继宓拇判匝芯作者姓名:学科专业:导师姓名:完成时间:苑凯凝聚态物理余庆选副教授二。一一年五月二十日
’.::一,
作者签名:——中国科学技术大学学位论文原创性声明中国科学技术大学学位论文授权使用声明本人声明所呈交的学位论文,是本人在导师指导下进行研究工作所取得的成果。除已特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含任何他人已经发表或撰写过的研究成果。与我一同工作的同志对本研究所做的贡献均已在论文中作了明确的说明。本人授权中国科学技术大学拥有学位论文的部分使用权,即:,可以将学位论文编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。保密的学位论文在解密后也遵守此规定。口保密!D签字同期:——导师签名:签字日期:作者签名:签字期:口公开
一————————————————————————————————————————————————————————————————馡馹●要〈虐氲继遄魑P乱淮孕缱悠骷闹票敢约把芯刻剿靼氲继迤件中电荷的自旋的基础材料,对其铁磁性的观测已经极大地引起了人们对自旋电自旋电子学为探索半导体器件中电荷的自旋奠定了基础。对稀磁半导体材料实际应用主要的挑战是达到或接近能够与结温度匹配的室温以上的居里温度。在过渡金属掺杂的传统搴虸族半导体的研究中,由于热说幕平均场理论的预测,过渡金属掺杂的斐晌1谎芯孔罟惴旱牟牧稀H欢类似过渡金属浓度超过ズ空穴浓度这样的假设并没有得到应有的关注。具体的预言是建立在空穴间的交换作用是磁有序产生的原因上的。目前很多光学和电子器件是在半导体异质结的基础上实现的,所以南〈虐氲继另外一个优点就是能与这些器件更稳定地结合,这就使得之前不能应用的量子结构和半导体的磁性结合具有了潜在的物理和应用的探索的可能。本论文首先对自旋电子学以及稀磁半导体的研究背景做了简单介绍,并综述了稀磁半导体尤其是南〈虐氲继宓难芯肯肿础M蔽闹谢辜蛞=樯芰目前存在的稀磁半导体的铁磁机制的几种理论解释,如模型,双交换模型以及束缚磁极子模型。在第二章中,我们介绍了幕拘灾屎途褰峁辜熬Ц袢毕荨2⒍⑺确ê凸渤恋矸ǖ龋以及我们在做研究过程中所用到的表征测试和分析方法如、光谱和取第三章和第四章分别讨论了械腗胱优ǘ群脱蹩瘴坏木迦毕荻〈虐氲继宕判缘牡挠跋臁;诖颂致畚颐嵌允笛橹兴鄄獾降南窒蠼辛关键词:稀磁半导体,自旋电子学,室温铁磁性,掺杂子学的兴趣。分析和解释。摘要
.,琓,.——,!.,、,,,,瓸,瑆
篋,琙,,瑆