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摘要. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ⅰ
Abstract .......................................................... Ⅱ
第一章绪论. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
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第二章直拉单晶炉设备结构及保养与维护.............................3
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第三章直拉单晶硅的工艺流程与常见故障处理....................... 8
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第四章单晶炉热场的研究和技术改进................................16
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结论..............................................................19
参考文献..........................................................20
致谢..............................................................21
直拉单晶硅设备与工艺研究
摘要
得益于全球光伏产业的高速发展,我国光伏产业近年来也迅速腾飞。目前,我国已经成为光伏产业大国,各地大力发展太阳能产业,许多单晶硅企业纷纷上马。研究和掌握单晶硅的制取工艺显得尤为重要。目前单晶硅制备的主要方法有直拉法与区熔法,而国内大部分单晶硅都是采用直拉法制备的。直拉法生长单晶硅的设备和工艺比较简单,容易实现自动控制,生产效率高,易于制备大直径单晶,容易控制单晶中杂质浓度,可以制备低电阻单晶。
本论文详细介绍了直拉单晶炉的结构与直拉单晶硅的工艺流程,并对实际生产中可能遇到的常见问题进行了分析,最后对一些关键工艺如热场设计方面提出自己的改进建议。
关键词:直拉法;单晶硅;单晶炉;热场;工艺改进
Czochralski silicon device and process research
Abstract
Thanks to the rapid development of the gl