文档介绍：东南大学
硕士学位论文
600V VDMOS器件的仿真与分析
姓名:姚进
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:沈克强
20090523
摘要骷切乱淮缌Φ缱涌9仄骷N蘼凼强9赜τ没故窍咝杂τ茫际抢硐的功率器件,是当前半导体分立器件的高端产品,应用范围广,市场需求大,发展前景好。镇流器等领域,所以骷纳杓坪脱兄凭哂惺涤眉壑怠1疚慕柚鶷骷0泄ひ辗抡妫治隽薞器件元胞的工艺步骤,借助编写了仿真程序并给出仿真结果。接着对骷械缣性仿真,借助详细分析了沟道调整注入对器件特性的影响,证明沟道调整注入能有效降低准饱和效应;详细分析了栅长对骷缣匦缘挠跋欤猇器件元胞尺寸设计提供指导;详细分析了骞ひ詹问訴器件阈值电压的影响,通过仿真发现沟道长度小于时,短沟道效应已比较明显。骷0闹饕=峁共问缓笤擞肕软件模拟器件的电特性,通过对器件电特性的模拟来优化计算得到的各个结构参数,从而得到元胞设计的最优值,最后再与实物数据相比较,结果基本相符。它主要应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子两个模拟工具对骷0辛朔抡婧头治霾⒍訴器件元胞进行了结构设计和模拟。本文首先对最后通过理论计算确定关键词:骷琹,,工艺仿真,击穿电压,阈值电压
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~躲蜒师签卿期:平·研究生签名:邑一目期:.—圣蹲:厶东南大学学位论文独创性声明东南大学学位论文使用授权声明撰写过的研究成果,也不包含为获得东南大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材ㄒ缘缱有畔⑿问娇论文的全部内容或中、英文摘要等部分内容。论文的公布本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或料。与我~同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。东南大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆有权保留本人所送交学位论文的复印件和电子文档,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。除在保密期内的保密论文外,允许论文被查阅和借阅,可以公布括以电子信息形式刊登谌ǘ洗笱а芯可喊炖怼
第一章绪论骷难芯肯肿从敕⒄骨魇引言⒚偶ǹ晒囟暇д⒐、功率⌒в——目前率等参数进行精确的控制和有效的处理,因此功率电子技术越来越受到人们的广泛关注。功率电子技术的核心,主要体现在功率半导体器件的开发和生产上。近年来,由于半导体微细加工技术与高压、大电流的电力半导体技术的结合,产生了一批高频化、全控型、集成化的新型电力电子器件。自五十年代末晶闸管问世以来,功率电子器件便开始出现,并运用在越来越多的领域。由于晶闸管是一种只能控制导通,而不能控制关断的半控型开关器件,在交流传动和变频通,又能控制其关断的全控型开关器件。八十年代,电气传动调速控制技术取得了突破性进展,其主要推动力之一是这些高性能半导体功率器件的出现,特别是在数千瓦的小功率范围内,它们大有取代双极型晶体管之势。八十年代中期,又出现了第三代电力电子器件——功率集成电路徊桨压β实燃恫煌那⒈;ぁ⒓觳夂凸β适涑单元集于一体,使应用更为方便、可靠。功率器件集成化是现在国际上电力电子技术与微电子技术相结合发展的大趋势。由于吸收了大规模集成电路的微细加工、计算机模拟和辅助设计等新技术成就,使功率集成器子技术对功率电路进行控制、保护和检测,使得功率集成器件有了很高的可靠性。如今,功率半导体器件的研究和开发已进入高频化、标准模块化、集成化和智能化时代。第一:对原有的单极型器件訫V和双极型器件、等器件的结构和参数进行最佳设计,实现最佳工艺,以进一步改进器件的性能。第:采用新的原理,”器件蚆约靶碌母咂党】仄骷取由此可见,功率起到了承前启后的作用,它的应用与发展越来越受到人们的人们一方面希望缩小芯片面积,节约成本,另一方面想方设法降低导通电阻:对于高压器件,希望外延层在保持高击穿电压的前提下,降低导通电阻。无论高压还是低压器件,降低导通电阻是提高骷阅艿闹饕1曛尽功率电子技术是以电力电子为对象的电子技术,因为它能够对功率、电流、电压和频电源的应用中,如不附加强迫换流电路就无法使用。七十年代以后陆续发明的功率晶体管常用骷峁埂⒕嫡にḿň骞⒕驳绺杏骞和静电感应晶闸管等等,现在统称为第二代功率电子器件或功率集成器件,是既能控制其导件达到了很高的性能价格比;另一方面,由于采用微机、专用集成电路、软件固化等微电功率半导体器件将向以下两个方面发展:重视。骷骞芫嗄甑姆⒄梗壳耙丫〉昧顺ぷ愕慕健6杂诘脱蛊骷
.脱勾蟮缌鱒器件的研发趋势~。台交大最近提出了一种全自对准工型引,通过沟槽回刻及斜角离子注入的由于骷哂懈