文档介绍：中山大学
硕士学位论文
氧化铝绝缘薄膜的制备及其在纳米冷阴极FED上的应用
姓名:黄接科
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:陈军
20090531
闹∧ぃ隳擅紫呃湟跫摘要覫氧化铝绝缘薄膜的制备及其在纳米冷阴极系挠τ业:微电子学与固体电子学硕士生:黄接科导师:陈军教授专属层的测试结构,并通过连续升压法和恒压法测试了∧ず蚐魅双场发射平板显示器哂懈吡炼取⒏叨员榷取⒏叻直媛省⒖硎咏恰⒏前某S媒峁梗ぜê鸵跫渚挡简称栅极绝缘层男阅芏哉ぜ结构目煽抗ぷ饔凶胖匾5挠跋臁K孀牌骷叽绲牟欢显龃蠛托滦湍擅桌本论文主要研究利用电子束蒸发制备姓ぜň挡惚∧さ闹票腹ひ眨程中改变衬底温度、沉积速率以及离子辅助沉积的气体等来制备致密、均匀的氧化铝当∧ぁMü呕笛椴问玫交鞔┏∏靠纱层绝缘薄膜的耐压性能和稳定性。结合薄膜的组织结构和表面结构分析了薄膜的响应速度及低功耗等特点,被认为是理想的下一代平板显示器件。栅极结构是目阴极的应用,对绝缘层的性能提出更高要求。因此,研究栅极绝缘层薄膜的制备及其特性有重要意义。通过优化了制备的工艺参数,制备出符合纳米冷阴极τ眯枰5恼ぜň层。根据电子束蒸发镀膜中影响绝缘薄膜性能的主要因素,通过在薄膜沉积的过伦电流密度不大于骷挠τ谩论文还对绝缘薄膜的耐压性能和击穿机制进行研究。。
论文最后实现了氧化铝薄膜在纳米线骷募伞Q芯苛薃薄膜刻蚀工艺,并分析了场发射显示器制作过程中影响氧化铝薄膜耐压性能的主要因素。将氧化铝薄膜应用于英寸和英寸的擅紫呃湟跫獸器件中。关键词:氧化铝,耐压性能,电子束蒸发,场发射显示器
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学位论文作者签名:专盘斜论文原创性声明日期:如。月弓日本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。●,
导师签名:啦学位论文作者签名:参掘/学位论文使用授权声明日期:年易月弓日本人完全了解中山大学有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保留学位论文并向国家主管部门或其指定机构送交论文的电子版和纸质版,有权将学位论文用于非赢利目的的少量复制并允许论文进入学校图书馆、院系资料室被查阅,有权将学位论文的内容编入有关数据库进行检索,可以采用复印、缩印或其他方法保存学位论文。日期:。气年日
霉燃三嚣活三三苫黝浑;蕊垦留蒜巨埴蕞巨龃剖∑奎』锿霖ü些第碌悸的二十一世纪发挥着巨大的作用。在众多正在研究的显示器件当中,场发射显示叫虺艶哂懈吡炼取⒏叨员榷取⒏叻直媛省⒈∑随着信息技术的迅猛发展,作为人机交换重要手段的显示器件在高度信息化嚣餰騭板、自发光、宽视角、高响应速度及低功耗等特点,被认为是理想的下一代平板显示器件。阴极材料、绝缘材料与荧光材料的研究与制备是骷械墓丶问题。目前人们对骷难芯恐饕<性谝跫ú牧嫌胗ü獠牧希跃挡料的研究比较少。但绝缘材料性能直接影响骷ぷ鞯目煽啃裕虼硕跃缘薄膜的研究将是写蟪叽绶⒄剐枰=饩龅墓丶侍庵弧场发射显示器是利用冷阴极发射电子轰击阳极荧光粉层的一种自主发光显示器件。冷阴极是场发射显示器件的核心。目前骷幸跫饕?煞治H大类:金属失锥ǔ2捎肕阵列和半导体尖锥ǔ2捎胹阵列磗觗型冷阴极⒁越鸶帐屠嘟鸶帐∧の4淼谋∧ば屠湟跫ê鸵蕴寄擅坠缸Ⅱ秓,.。图卜》⑸湎允酒骷腥志浣峁故疽馔肌】
⋯哇∈三三三三三图狹Ⅱ“。而金刚石和类金刚石薄膜型冷阴极主要是利用金羁缺∧け砻娴偷缱忧缀褪坪捅∧ぶ械脑又驶蛉毕菽芗督阴投衬底中的电子输运到薄膜的表面并在外加电场的作用下产生电子发射。产生高电场,从而使阴极发射电子,同时可以较容易地实现扫描。在器件结构中,栅极与朋极将会有重叠的部分。为避免橱阴电极之间导通,需引入绝缘层以隔开两层电极。由此可见绝缘层将起着非常重要的作用。由于栅极的电压需增大到一定的程度才能使阴极的电子发射,因此要求绝缘层能够承受一定的电场强度并保持性能的稳定。在一定的电场强度下,绝缘薄膜质量将直接影响栅极与阴极之间漏电流的大小,从而影响器件的功耗与稳定性。差的绝缘层会使得栅极与阴