文档介绍：第一章常用半导体器件一、判断下列说法是否正确,用“和“X”表示判断结果填入空内。(1) 在N型半导体屮如果掺入足够量的三价元索,可将其改型为P型半导体。()(2) 因为N型半导体的多了是自由电了,所以它带负电。()(3) PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()(4) 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多了漂移运动形成的。()(5)结型场效应管外加的栅■源电压应使栅■源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其Rgs大的特点。()(6)若耗尽型N沟道MOS管的Ugs大于零,则其输入电阻会明显变小。()解:(1)V(2)X(3)V(4)X(5)V(6)X二、选择正确答案填入空内。(1) PN结加正向电压时,空间电荷区将 o变窄 (2) 设二极管的端电压为U,则二极管的电流方稈是 C./s(ef;/^-l)(3) 稳压管的稳压区是其工作在。 (4) 当晶体管丁作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为前者反偏、后者也反偏前者正偏、后者反偏前者正偏、后者也正偏(5) UGs=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。:(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、,设二极管导通电压叶=。3—nHTT/?V0+Y+5-6-InHU±T・RV2—iTDV2-$却一y丁DV21HHT-:U(),U()2=0,U()32-,&)4*2V,S)5~,S)6=—2V。以、已知稳压管的稳压值〃z=6V,稳定电流的最小值/Zmin=】和心2各为多少伏。zc/mA20( 15/ :Uo】=6V,S)2=5V。五、,其集电极最大耗散功率PcM=200mW,试逝出它的过损耗区。5. [ ] [ ] ■_0 10 20 30 :根据PCM=200mW可得:〃ce=40V时/c=5mA,(yCE=30V时/c〜,〃ce=20V时7C=10mA,UCe=10V时/c=20mA,将备点连接成曲线,即为临界过损耗线,。临界过损耗线的左边为过损耗区c六、,VCc=15V, 0=100,Ube=()・7V。试问:(1)Rb=50kQ时,“o=?(2)若T临界饱和,则心~?解:(1)Rb=50kQ时,基极电流、集电极电流和管压降分别为=26/c=卩Ib—=VCC-/c/?c=2V所以输出电压U°=Uce=27。(2)设临界饱和时〃ces=Ube=,所以—UcESRc== =/?b二仏二®^•,它们的开启电压也在表屮。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。<th)/Vt7s/VVJNUd/V工作状态Ti4-513t2-43310t3-4605解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。根据表屮所示各极电位可判断出它们各白的工作状态,。(th)/Vt7s/V17g/V17d/V工作状态Ti4-513恒流区t2-43310截止区t3-。在木征半导体屮加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。 ,二极管的反向饱和电流将。 ,如果当/b从12uA增大到22MA时,/c从1mA变为2mA,那么它的0约为。 ,它的低频跨导gm将。 :(I)A,C(2)A(3)C(4)?为什么?解:不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,,管子会因电流过大而烧坏。,已知lOsin3f(v),试曲出心与g的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。。1-,已知«(=5sint(V),二极管导通电压UD=⑴与“o的波形,并标出幅•值。O+%(a)(b)解:。(a)所示