文档介绍：第一章半导体基础知识自测题
(3)/(4)X(5)/(6)X
(3)C(4)B(5)AC
Uk^——2V
一、(1W(2)X
二、(1)A(2)C
一、Ub1^=0
cq6.。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。因为输入信号被G短路。
（f）不能。因为输出信号被Vcc短路，恒为零。
可能。
(I)不能。因为T截止。
二、(1)(VCCUbeq”1BQ565;
(2)Uo/Ui-120;—
Rc+Rl
四、(1)A(2)C(3)B(4)B
五、(1)C,DE(2)B(3)ACD
六、
不合理。因为G-S间电压将大于零。
(VCCUCEQ>1BQ3
'
(4)ABDE(5)C(6)BCE,AD
ebc
大
大
中
大
cbc
小
大
大
小
bec
大
小
小
大
(a)将一VCc改为+VCc。
(b)在+Vcc与基极之间加R。
将VBb反接，且加输入耦合电容。
在VBb支路加R,在—Vcc与集电极之间加R。
；将电容开路即为直流通路，图略。
(a)
(b)
(c)
(d)
：Ib咛20A,Icb2mAUCe(^6V;。
带载时：Ibq=20hA,Icu2mAUCeb3V;。
(9)
(1)x(2)x
X
(1)
(10)
(3)x
(11)x
12V(3)
(4W(5)X
(12)V
(4)12V
(6)X(7)
(5)12V
Q：
IBQ
Vcc
UBEQUBEQ
Rb
22从A
X(8)a/
ICQ
空载时：,辰其(1)
IEQAu——^
RoRc5k
Rl3k时:
UCEQ
—Rl—Icq(Rc〃Rl)
RcRl
115Au
Rl「be47
(a)饱和失真，增大R,减小R。(b)截止失真，减小R。
(c)同时出现饱和失真和截止失真，增大Vg(a)截止失真(b)饱和失真(c)同时出现饱和失真和截止失真(1)ICQ
VCCUCEQrc
2mA
(2)
Ibq叵20mA
VccUbeqRbIBQ
565k
Au
100
Au
Ui
1
上1
Rl
Rc
Rl
Uom
Rl
「be
Rl1k
,
UCEQUCES
Rl3k时，Uom
IcqRl
\2
②①②①d
(1)静态及动态分析:
UBQUBEQ1mA
Rb1
Rb2
Rf
Re
1BQ
1EQ
1
-10从A
UCEQ
VCC
1EQ
rbb'
(1
、26mV
rbe
Au
)Ieq
Rl)
(RcH
rbe
(1
)Rf
Ri
Rb1〃
Rb2/
7[rbe(1
)Rf]
Ro
Rc
5k
Q；AuUBQ2VIeq
Rb1Vcc(RcRfRe)(2)R增大，—
:IBQVccUbeqRiR2(1IBQUCEQVcc(1):
IBQICQ动态:
//R3dRirbe//RiRoR2//R3rbe(R2VCC
R2R3
1BQUCEQERrbeUBEQ)[R2//R3+(1+)Ri]
VCC1CQRcRi//-
1rbe
Ri
R2
R3
UCQ2
Vcc
ICQ2R4
UBQ2
R2
.(Vcc
UBEQ1)
RiR2
UCEQ1
UBQ2
—UBEQ2
UCEQ2
UCQ2
—UBQ2
UBEQ2
UBEQ1UBEQ1VccUBEQ1
「be2
ICQ2UBEQRoR41CQ11BQ1112rbe1RiR2//R3//rbe1Au2Ro
AuAu1Au2rbe2R4
Au11Au21
图略。
(1)求解Q点：
VccUbeq
32伽A
1BQ__
Rb(1)Re
Ieq(1)
UC