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基于柔性阻变存储器性能研究天津理工大学研究生学位论文昵胨妒垦学科专业:微电子学与固体电子学研究方向:半导体材料与器件作者姓名:武长强指导教师:张楷亮教授20131TN303密级:
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攀位论文作者签名拭畚;氧导辨签名:撇l独创性声明学位论文版权捷用授权书签字隧期:劲阿年了鼹/嘲人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得墨叠堡兰叁鲎或其他教本学位论文作者完全了解叁盗堡墨盘垒。有关保留、使用学位论文的规定。特授权墨盗墨墨叁堂可以将学位论文的全部或郝分内容编入有关数据2|>f本人声明所呈交韵学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究成果,除了文中特别加以标注和致谢之处外,沦文中不包含其他育机构的学位或证书而使用过的材料。与我。同工作的同志对本研究所做J库进行检索,并采阁影印、缩印或扫描等复制手段倮存、汇编,以供查阅和借阕。同意学校向国家有关音器门或机构送交论文的复本和电子文件。(l)
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摘要在国内外引起了广泛的关注和研究。其中,柔性材料因其轻便、低成本及良好的抗机械PIsi80m其次,在经过退火处理的薄膜衬底上,研究了不同延展性下电极对阻变薄最后,研究了在不同电极材料下,柔性阻变存储单元的机械抗弯曲性能。在不同下电极上采用相同工艺条件沉积薄膜,测试其电阻开关特性,之后对其进行不同程行了初步的研究与测试,有望为下一步柔性阻变存储器的研究发展与应用打下基础。近年来,随着电子产品的快速发展,人们对于轻便超便携,低功耗及高密度快速存FlashII制,新型非挥发性存储器,如MemoRRAM)功耗、结构简单、集成度高、操作电压低、读写速度快、与现在半导体工艺兼容等特点,弯曲等优势性能在电子行业、传感器领域及太阳能薄膜电池行业得到了大量的研究与发展,基于以上技术趋势,对柔性阻变存储器的研究也越来越引起大家的重视。本论文主要研究了基于的柔性阻变存储器在采用不同电极材料的情况下的性能变化,采用超高真空磁控溅射在经过退火处理的聚酰亚胺薄膜上沉积金属一绝缘体一金属髦谓峁梗⒗锰ń滓牵恿ο晕⒕,四探针电阻测试仪(sPA)具体研究内容如下:首先,研究了不同衬底材料及衬底处理对电极薄膜形貌性能及阻变薄膜性能的影响。测试结果表明:衬底卜电极薄膜形貌表面平整,颗粒大小均匀,分布致密,未经表现出了良好的阻变特性。PICuA1WAgCuwAgAl表现出来良好的双极阻变特性。500CuAlAgw依然良好,弯曲次数可以达到次。本论文通过对不同下电极对柔性阻变存储特性影响的研究,并对柔性存储进关键词:ess
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(AFM)蛃charactsticdevicesthbomcharactefisticsputtngflexible鷇(RRAM)has礶瑃litapplicationsP01mide(PI)dositedcuentV01tage(I-V)Alent).,盯,,anicdiodesBasedmistecllIlological瑃neXibledeVicesstudiedeValuatedsubstrateand猧wascharacteristicsdevicesSemiconductor1,forceThereSultsfollows畉titaIliumoxide甌resultselectrode、surfaceresistivebehaViorSsizeButallSecondlytl='abaSedprovidesupportapplicationresistallceKey篢瑂notwasntaare
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