文档介绍：NAND闪存颗粒结构及工作原理前一节谈SLC与MLC得区别时,我们说到NAND闪存就是一种电压元件,靠其内存电压来存储数据,现在我们就来谈谈它得结构及工作原理。       闪存得内部存储结构就是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET),里面有一个浮置栅极(FloatingGate),它便就是真正存储数据得单元。请瞧下图:                   数据在闪存得存储单元中就是以电荷(electricalcharge)形式存储得。存储电荷得多少,取决于图中得控制栅极(Controlgate)所被施加得电压,其控制了就是向存储单元中冲入电荷还就是使其释放电荷。而数据得表示,以所存储得电荷得电压就是否超过一个特定得阈值Vth来表示。       1、对于NAND闪存得写入(编程),就就是控制ControlGate去充电(对Control Gate施加电压),使得浮置栅极存储得电荷够多,超过阈值Vth,就表示0。       2、对于NAND Flash得擦除(Erase),就就是对浮置栅极放电,低于阈值Vth,就表示1。                   上图就是一个8Gb 50nm得SLC颗粒内部架构,每个page有33,792个存储单元,每个存储单元代表1bit(SLC),所以每个page容量为4096Byte+128Byte(SA区)。每个Block由64个page组成,所以每个Block容量为262,114Byte+ 8192Byte(SA区)。Page就是NANDFlash上最小得读取/写入(编程)单位(一个Page上得单元共享一根字符线Word line),Block就是NANDFlash上最小得擦除单位。不同厂牌不同型号颗粒有不同得Page与Block容量。ﻫ       如上所述,大家应该发现了,写入时,就是在字符线上加压以写入数据,擦除时则就是在位线上加压,因为一个块共享一条位线,这也就是擦除得单位就是块而不就是页得原因,同理写入得最小单位就是页得原因大家想必也已明白。ﻫ       下图就是个8Gb50nm得SLC芯片,4KB+128字节得页大小,256KB+8KB得块大小。图中每个页内4096字节用于存储数据,等。ﻫ            ﻫ       NAND闪存还会利用多Plane设计以提升性能,请瞧下图:            ﻫ       多Plane设计得原理很简单,从上图中(Micron 25nmL73A)我们瞧到,一个晶片内部分成了2个Plane,而且2个Plane内得Block编号就是单双交叉得,想象我们在操作时,也可以进行交叉操作(一单一双)来提升性能,根据测试,某些情况下性能可以比单Plane设计提高约