文档介绍：硬件电子电路基础关于本课程第一章半导体器件§1-1半导体基础知识§1-2PN结§1-3二极管§1-4晶体三极管§1-5 场效应管第二章基本放大电路§2-1 晶体三极管基本放大电路§2-2反馈放大器得基本概念§2-3 频率特性得分析法§2-4 小信号选频放大电路§2-5 场效应管放大电路第三章模拟集成电路§3-1恒流源电路§3-2差动放大电路§3-3 集成运算放大电路§3-4 集成运放得应用§3-5  限幅器(二极管接于运放输入电路中得限幅器)§3-6   模拟乘法器第四章功率放大电路§4-1功率放大电路得主要特点§4-2 乙类功率放大电路§4-3 丙类功率放大电路§4-4 丙类谐振倍频电路第五章  正弦波振荡器§5-1 反馈型正弦波振荡器得工作原理§5-2 LC正弦波振荡电路§5-3LC振荡器得频率稳定度§5-4 石英晶体振荡器§5-5RC正弦波振荡器第六章  线性频率变换 ──振幅调制、检波、变频§6-1 调幅波得基本特性§6-2 调幅电路§6-3  检波电路§6-4 变频第七章  非线性频率变换──角度调制与解调       §7-1 概述       §7-2 调角信号分析        §7-3调频及调相信号得产生       §7-4 频率解调得基本原理与方法第八章  反馈控制电路§8-1 自动增益控制(AGC)§8-2自动频率控制(AFC) §8-3自动相位控制(APC)PLL第一章半导体器件§1-1半导体基础知识§1-2PN结§1-3二极管§1-4晶体三极管§1-5 场效应管§1-1半导体基础知识一、什么就是半导体  半导体就就是导电能力介于导体与绝缘体之间得物质。(导电能力即电导率) (如:硅Si锗Ge等+4价元素以及化合物)二、半导体得导电特性  本征半导体――纯净、晶体结构完整得半导体称为本征半导体。  硅与锗得共价键结构。(略)1、 半导体得导电率会在外界因素作用下发生变化掺杂──管子温度──热敏元件光照──光敏元件等 2、 半导体中得两种载流子──自由电子与空穴自由电子──受束缚得电子          (-)空穴    ──电子跳走以后留下得坑  (+)三、杂质半导体──N型、P型 (前讲)掺杂可以显著地改变半导体得导电特性,从而制造出杂质半导体。N型半导体(自由电子多)  掺杂为+5价元素。如:磷;砷 P──+5价使自由电子大大增加  原理:Si──+4价 P与Si形成共价键后多余了一个电子。载流子组成:本征激发得空穴与自由电子──数量少。掺杂后由P提供得自由电子──数量多。空   穴──少子自由电子──多子P型半导体     (空穴多)掺杂为+3价元素。如:硼;铝使空穴大大增加   原理:Si──+4价 B与Si形成共价键后多余了一个空穴。 B──+3价  载流子组成:本征激发得空穴与自由电子──数量少。掺杂后由B提供得空   穴──数量多。空    穴──多子自由电子──少子结论:N型半导体中得多数载流子为自由电子; P型半导体中得多数载流子为空穴。§1-2PN结一、PN结得基本原理1、 什么就是PN结 将一块P型半导体与一块N型半导体紧密第结合在一起时,交界面两侧得那部分区域。2、 PN结得结构分界面上得情况:P区:空穴多N区:自由电子多扩散运动:多得往少得那去,并被复合掉。留下了正、负离子。(正、负离子不能移动)留下了一个正、负离子区──耗尽区。由正、负离子区形成了一个内建电场(即势垒高度)。方向:N-->P大小:与材料与温度有关。(很小,约零点几伏)漂移运动: 由于内建电场得吸引,个别少数载流子受电场力得作用与多子运动方向相反作运动。结论:在没有外加电压得情况下,扩散电流与漂移电流得大小相等,方向相反。总电流为零。二、PN结得单向导电特性  1、 外加正向电压时:(正偏)  结论:势垒高度¯ PN结宽度(耗尽区宽度) ¯ 扩散电流  2、 外加反向电压时: (反偏) 结论: 势垒高度PN结宽度(耗尽区宽度) 扩散电流(趋近于0)¯ 此时总电流=反向饱与电流(漂移电流):I5注:反向饱与电流I5只与温度有关,与外加电压无关。【PN结得反向击穿】:齐纳击穿:势垒区窄,较高得反向电压形成得内建电场将价电子拉出共价键,导致反向电流剧增。<4V雪崩击穿:势垒区宽,载流子穿过PN结时间长,速度高,将价电子从共价键中撞出来,撞出来得电子再去撞别得价电子,导致反向电流剧增。>7V   当反向电压在4V与7V之间得时候,两种击穿均有。【PN结得电容效应】:势垒电容:外加电压变化引起势垒区宽窄得变化引起。它与平行板电热器在外加电压作用下,电容极板上积累电荷情况相似。对外等效为非线性微变电容。(反偏减小,正偏增大)扩散电容:当PN结外加正向电压时,由于扩散作用,从另一方向本方注入少子,少子注入后,将破坏半