IC 芯片封装流程.pptx

文档介绍：Introduction of IC Assembly Process IC封装工艺简介 FOL – Back Grinding 背面减薄 Taping 粘胶带 Back Grinding 磨片 De-Taping 去胶带?将从晶圆厂出来的 Wafer 进行背面研磨,来减薄晶圆达到封装需要的厚度( 8mils~10mils ); ?磨片时,需要在正面( Active Area )贴胶带保护电路区域同时研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度; FOL – Wafer Saw 晶圆切割 Wafer Mount 晶圆安装 Wafer Saw 晶圆切割 Wafer Wash 清洗?将晶圆粘贴在蓝膜( Mylar )上,使得即使被切割开后,不会散落; ?通过 Saw Blade 将整片 Wafer 切割成一个个独立的 Dice ,方便后面的 Die Attach 等工序; ? Wafer Wash 主要清洗 Saw 时候产生的各种粉尘,清洁 Wafer ; FOL – Wafer Saw 晶圆切割 Wafer Saw Machine Saw Blade( 切割刀片): Life Time : 900~1500M ; Spindlier Speed : 30~50K rpm : Feed Speed : 30~50/s; FOL – 2nd Optical Inspection 二光检查主要是针对 Wafer Saw 之后在显微镜下进行 Wafer 的外观检查,是否有出现废品。 Chipping Die 崩边 FOL – Die Attach 芯片粘接 Write Epoxy 点银浆 Die Attach 芯片粘接 Epoxy Cure 银浆固化 Epoxy Storage : 零下 50 度存放; Epoxy Aging : 使用之前回温,除去气泡; Epoxy Writing : 点银浆于 L/F 的 Pad 上, Pattern 可选; FOL – Die Attach 芯片粘接芯片拾取过程: 1、 Ejector Pin 从 wafer 下方的 Mylar 顶起芯片,使之便于脱离蓝膜; 2、 Collect/Pick up head 从上方吸起芯片,完成从 Wafer 到 L/F 的运输过程; 3、 Collect 以一定的力将芯片 Bond 在点有银浆的 L/F 的 Pad 上,具体位置可控; 4、 Bond Head Resolution : X- ; Y- ; Z- ; 5、 Bond Head Speed : ; FOL – Die Attach 芯片粘接 Epoxy Write : Coverage >75%; Die Attach : Placement<; FOL – Epoxy Cure 银浆固化银浆固化: 175 °C,1个小时; N2 环境,防止氧化: Die Attach 质量检查: Die Shear (芯片剪切力) FOL – Wire Bonding 引线焊接※利用高纯度的金线( Au )、铜线( Cu )或铝线( Al)把 Pad 和 Lead 通过焊接的方法连接起来。 Pad 是芯片上电路的外接点, Lead 是 Lead Frame 上的连接点。 W/B 是封装工艺中最为关键的一部工艺。