文档介绍：Introduction of IC Assembly Process IC封装工艺简介
FOL– Back Grinding背面减薄
Taping
粘胶带
Back
Grinding
磨片
De-Taping
去胶带
将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨,来减薄晶圆达到 封装需要的厚度(8mils~10mils);
磨片时,需要在正面(Active Area)贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Mount
晶圆安装
Wafer Saw
晶圆切割
Wafer Wash
清洗
将晶圆粘贴在蓝膜(Mylar)上,使得即使被切割开后,不会散落;
通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice,方便后面的 Die Attach等工序;
Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘,清洁Wafer;
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Saw Machine
Saw Blade(切割刀片):
Life Time:900~1500M; Spindlier Speed:30~50K rpm:Feed Speed:30~50/s;
FOL– 2nd Optical Inspection二光检查
主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查,是否有出现废品。
Chipping Die 崩边
FOL– Die Attach 芯片粘接
Write Epoxy
点银浆
Die Attach
芯片粘接
Epoxy Cure
银浆固化
Epoxy Storage: 零下50度存放;
Epoxy Aging: 使用之前回温,除去气泡;
Epoxy Writing: 点银浆于L/F的Pad上,Pattern可选;
FOL– Die Attach 芯片粘接
芯片拾取过程: 1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片,使之便于 脱离蓝膜; 2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片,完成从Wafer 到L/F的运输过程; 3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F 的Pad上,具体位置可控; 4、Bond Head Resolution: X-;Y-;Z-; 5、Bond Head Speed:;
FOL– Die Attach 芯片粘接
Epoxy Write: Coverage >75%;
Die Attach: Placement<;
FOL– Epoxy Cure 银浆固化
银浆固化:
175°C,1个小时; N2环境,防止氧化:
Die Attach质量检查:
Die Shear(芯片剪切力)
FOL– Wire Bonding 引线焊接
利用高纯度的金线(Au) 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是 Lead Frame上的连接点。
W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。