文档介绍：1
作者简介李斌,湖北洪湖人。年毕业于山西大学、获学士学位。年毕业于山西大学光电研究所获硕士学位。现就读于西安电子科技大学微电子学院,攻读博士学位。导师:刘红侠教授。主要研究方向:应变硅器件的建模和可靠性研究等。代表性成果:己在、《物理学报》、B术论文篇。journal((,OpticalInstituteUniversity,Taiyuan,2007NowwasfortheUniversity,XianChinaHisProfessorHongxiaLiuinterestsincludesmneddeviceshaspublishedandreliablity,ActaPhysicaSinicaandChineseHonghuHubei1980HehisPhoelectron2004thePhotoelectricPhDdegreeHissiliconBtutor
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本人签名:罐迷1IIIIl111本学位论文属于保密,在一年解密后适用本授权书。西安电子科技大学关于论文使用授权的说明学位论文独创性虼葱滦声明秉承学校严谨的学风和优良的科学道德,本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切的法律责任。本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文:学校可以公布论文的全部或部分内容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证,毕业后结合学位论文研究课题再攥写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。C艿穆畚脑诮饷芎笞袷卮斯娑日期:j日期:导师签名:
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摘要随着ゲ故匠⌒в骞器件尺寸进入亚微米,深亚微米领域,传统器件所采用的材料和器件结构将会接近或达到它们的极限。要克服由于基本的物理问题对传统的器件结构的发展所造成的SOI(siliconInsulator)(Si)SGOI(SiGe)理模型和可靠性等方面对进行了分析研究。主要的研究工作和成果如下:1起热导率的减小。在温度范围从,硅膜厚度从到蝝之间应用该模型得到的结果和实验数据比较吻合。该代数式模型不仅和实验数据吻合,也和基于积分形式的热导率以及玻尔兹曼传输方程获得预测值一致。该数值热导率的建模和甌缛饶D饨峁允荆绻豢悸巧颖呓缟⑸湟鸬娜鹊悸实募跣。琒晶体管的电学和热学性能的评估都会受到比较大的影响。2SiSilxGexSi徒鹗粞趸锇氲继宄⌒в骞低场电子迁ISESiSUSilxGexnMOSFET示:由于温度的升高会增加声子与电子的散射概率,导致声学声子散射迁移率降低。阱内的量子效应使得载流子随着厚度的减小而减小,引起载流子通过低迁移率的弛豫SilxGexSiGe度大大增加,也会降低器件的迁移率。该模型可以模拟任意锗组分下的迁移率,数学表达式简单,易于嵌入到器件模拟器中,为设计和优化应变硅电路提供很好的理论支持。3SGOI器件结构,称之为双台阶式埋氧。研究了该器件的工艺流程,使ISE虑了边界声子散射引起热导率的减小以及该热导率随温度的变化关系。研究结果表明:由于沟道与漏端交界处电场强度最大,因此该区域会产生大量热量,迁移率退化最严重。通过减小沟道下埋氧层厚度,沟道区域热量可以很快通过薄的埋氧层传送到衬底,有效地降低了器件的自加热效应,也不会对器件的电容特性造成影响,同时该器件的关态电流,输出特性退化,迁移率的退化以及效应都得到了明显地抑制。因此,采用沟道下薄埋氧的能够提高器件的整体性能和长期可靠性。MetalOxideInsulator
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4SGOI(SCE)DIBL(Drain,沟)SGOIMOSFET(Ground技术减小短沟道效应对器件性能的影响,分析了引入该技术前后,不同沟道应变下不同栅长下该器件电学性能的差异。研究结果表明:当引入Plane了更多来自于漏端电力线的条数,减小了进入沟道区域的边缘电力线的条数,削弱了平行于沟道的横向电场对沟道区域电荷的作用,降低了沟道与漏端之间空间电荷区的宽度,提高了栅对沟道电荷的控制能力,减小了器件的效应,抑制了泄漏电流,降低了阈值电压的起伏。这为实现纳米级器件提供了很好的解决方案。5SGOI出了一种新的器件结构,称之为畇..。在这部分ISEnMOSFE