文档介绍：1
甐族非晶态探测器材料研究猇学位授予单位及代码:量查堡王太堂光堂王捏躋左皇王煎盔丛应用垣±刍垫垩学科专业名称及代码:研究万向:申请学位级别:指导教师:湮拯堂研究生:分类号:§丝:§密级:编号:论文起止时间;欤核慷埽篞
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∧ぶ票腹ひ仗跫涸谑椅绿跫拢ι涔β聃为.,工摘要全面和详尽的研究。本文围绕非晶谝鼻躼≤薄膜和薄膜的制备、们确定了甀∧。⒍杂谥票竧/.薄膜,在助一定时,不同的衬底温度乃存在不同的门槛气压⒃谑椅绿跫拢宋,为薄膜。∧さ墓庋质。工艺参数直接影响光学带隙的变化,随凡的增加或助减小,导带带尾和价带带尾的缺陷态减小,光学带隙相应增加。实现薄膜的光学带隙变化范围为作气压为.Ⅲ.寰灏氲继宀牧嫌捎谄湮榷ㄐ院茫呶障凳⒏咔ㄒ坡剩赏谑椅鹿作等特点已引起人们广泛注意。与晶体Ⅱ甐族半导体相比,非晶态半导体材料具有成本低、制备工艺简单的优点。Ⅲ.宸蔷О氲继迦跃哂邪氲继逄匦裕型τ糜谔讲器视貌ǘ蝜约捌渌獾缙骷5悄壳肮谕饣谷狈Β螅甐族非晶态材料表征、退火和氢钝化四个方面开展工作。Ⅲ.宸蔷П∧さ闹票腹ひ在玻璃和单晶硅衬底上,我们利用磁控溅射方法制备了Ⅲ.宸蔷П∧ぁMü料的生长机理和动力学研究,分析了工艺参数对结构的影响。减小功率、降低衬底温度或增加工作气压可以减小溅射粒子的能量,制备出非晶薄膜。通过大量的实验,我使制备样品结构从多晶态向非晶态转变,并且随乃增加,门槛气压也随之增⑼ü髡鸌泻虶械墓β剩梢灾票赋隹冢甀∧ぁ甐族非晶薄膜的结构、组分、形貌和光电性质表征采用湎哐苌湟恰⑼干涞缇怠射线能谱仪、原子力显微镜、扫描电镜等手段对Ⅲ.宸蔷П∧さ慕峁埂⒆榉趾捅砻嫣匦越辛吮碚鳎治隽斯ひ詹问越峁埂⒆榉和形貌的影响,我们已获得了表面形貌很好、。∧さ淖罱谠拥呐湮皇∮,说明含有一定的错键。甀∧さ木断蚍植己谝唤诜宸至殉晌挥..的两个峰,分别对应虸瓵募ぃ⑶,而Φ姆宓南喽苑甯弑浯蟆:甀墓庋Т对..之间。实验中发现,在一定条件下制备薄膜的光学带隙与康墓叵挡蝗范āMü衷财窆馄谆竦昧吮∧加。以上时,制备薄膜为非晶结构。。.
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口.—∧さ牟羟庋芯实现发现,,减少了带尾和带隙中采用系统进行了非晶薄膜的电学特性分析,薄膜的无序化程度越高,电阻率越对甀畑薄膜和薄膜的光敏特性进行了分析。实验制备的、加而增加。,符合化学计量比时光敏最大,但是要比、Ⅲ.宸蔷П∧さ耐嘶鹧芯对甀畑薄膜进行了退火实验,晶化温度约为T诰Щ露纫韵峦嘶穑增加而出现结晶相,光学带隙减小。并且由于多晶相和非晶相的交界面上,形变键和悬挂键数目增加,带尾宽度增加。对瓽篐薄膜进行了退火实验,发生氢的释放,总之,我们采用磁控溅射技术制备颍甐族非晶薄膜,并且研究了工艺参数对结构、组分、表面形貌和光电性能的影响。通过优化工艺参数,我们可以制备出具有光电响光学常数,发现非晶、多晶和单晶薄膜的椭圆偏振光谱表现出巨大的差异。大、载流子浓度越小。薄膜在光照下具有明显的光敏特性。,光敏随气压的增和甀∧す饷粜可以减少带尾中的缺陷以及增加应变键的驰豫,由此导致光学带隙增加。随退火温度光敏下降。的态密度,导致吸收边蓝移、光电导增强。同时发现,【。应,能应用于光导探测器的Ⅲ.宸蔷П∧ぃ馕"螅甐族非晶薄膜的将来应用提供了实验依据。关键词:Ⅲ.宸蔷氲继迳淦荡趴亟ι涔獾缣匦
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附图索引薄膜中/的摩尔百分比与瑆;耍乃的关系⋯⋯⋯⋯⋯图连续无规网络模型⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯图磁控溅射工作原理图⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯一图磁控溅射设备的结构图⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.图归一化的原子密度函数/随厂变化的物理图像⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.图沉积速率与溅射功率的关系⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.图镚∧さ耐腹祝票秆返耐腹子敕瓷淦住薄膜的光学带隙和曰与溅射功率的关系⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.图鵊蚢摹和￡,谱⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.图两个最近邻键之间的二面角的示意说明⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯图非晶固体能带结构示意图⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯图非晶态半导体电导