文档介绍：B 一、选择题 1、半径为 R的“无限长”均匀带电圆柱的静电场中各点的电场强度的大小 E与轴线的距离 r的关系曲线为: OR r E 1/ E r ?OR r E 1/ E r ? OR r E 1/ E r ?OR r E 1/ E r ?(A) (B) (C) (D) 1 C 2、如图所示,一封闭的导体球壳 A内有两个导体 B和C。A、 C所带净电量为零, B点正电,则 A、B、C三导体的电势 U A、 U B、U C的大小关系是: (A) A B C U U U ? ?(B) B A C U U U ? ?(C) B C A U U U ? ?(D) B A C U U U ? ? 3、如图,一个电量为+q 、质量为 m的质点,以速度 V沿X轴射入磁感强度为 B的均匀磁场中,磁场方向垂直纸面向里,其范围从 X=0 延伸到无限远处,如果质点在 X=0 和 Y=0 处进入磁场, 则它将以速度-V 从磁场中某一点出来,这点坐标是 X=0 和( ) /( ) A y mV qB ??( ) 2 /( ) B y mV qB ??( ) 2 /( ) C y mV qB ??( ) /( ) D y mV qB ?? B ?????????????, q m ?V ? B ?yx A CB2 A 4、顺磁物质的磁导率: (A) 比真空的磁导率略小。(B) 比真空的磁导率略大。(C) 远小于真空的磁导率。(D) 远大于真空的磁导率。 B 5、如图,导体棒 AB 在均匀磁场中绕通过 C点的垂直于棒长且沿磁场方向的轴 OO ’转动, BC 的长度为棒长的 1/3 ,则: (A)A 点比 B点电势高。(B)A 点与 B点电势相等。(C)A 点比 B点电势低。 (D) 有稳定的电流从 A点流向 B点。 B ? OO ? CA B 3 C ,平行板电容器(忽略边缘效应)充电时,沿环路 L 1,L 2磁场强度的环流中,必有: 1L 2L ????? 2 1)( L LldHldHA ????????? 2 1)( L LldHldHB ????????? 2 1)( L LldHldHC ????0)( 1??? LldHD ?? 7、某金属产生光电效应的红线波长为λ 0,今以波长为λ(λ< λ 0)的单色光照射该金属,金属释放出的电子(质量为 m e)的动量大小为: E ( ) / A h ? 0 ( ) / B h ? 00 2 ( ) ( ) e m hc C ? ???? 02 ( ) e m hc D? 00 2 ( ) ( ) e m hc E ? ???? 4 DA 8、电子显微镜中的电子从静止开始通过电势差为 U的静电场加速后,其德布罗意波长为埃,则 U约为: (A)150V (B)330V (C)630V (D)940V 9、已知粒子在一维无限深势阱中运动,其波函数为: )(2 3 cos 1)(axaa xa x??????那么粒子在 x=5a/6 处出现的概率密度为: aDaCaBaA/1)(2/1)(/1)(2/1)( 5 C 10. 下述说法中,正确的是: (A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电, 而杂质半导体只有一种载流子参与导电, 所以本征半导体导电性能比杂质半导体好. (B) n 型半导体的性能优于 p 型半导体,因n 型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电. (C)n 型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带( 导带) 的底部, 使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能. (D)p 型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动. 6 3、无限长直导线在 P处弯成半径为 R的圆,当通以电流 I时,则在圆心 O点的磁感应强度大小等于方向为 2、一平行板电容器,两极间充满各向同性均匀电介质, 已知相对介电常数为εr,若极板上的自由电荷面密度为σ,则介质中电位移的大小 D= . 电场强度的大小 D?? 0rE ???? 0112 IBR ??? ?? ?? ?? ?垂直纸面向里 RIoP 二、填空题 1、真空中有一均匀电点球面,球半径为 R,总带电量为 Q (>0) ,今在球面上挖去一很小面积 dS (连同其上电荷),设其余部分的电荷仍均匀分布,则挖去以后球心处的电场强度为球心处电势为(设无限远处电势为零) 。 2 4 016 Qd