文档介绍：B一、选择题1、半径为R的“无限长”均匀带电圆柱的静电场中各点的电场强度的大小E与轴线的距离r的关系曲线为:ORrE1/E r?ORrE1/E r?ORrE1/E r?ORrE1/E r?(A)(B)(C)(D)C2、如图所示,一封闭的导体球壳A内有两个导体B和C。A、C所带净电量为零,B点正电,则A、B、C三导体的电势UA、UB、UC的大小关系是:(A)A B CU U U? ?(B)B A CU U U? ?(C)B C AU U U? ?(D)B A CU U U? ?3、如图,一个电量为+q、质量为m的质点,以速度V沿X轴射入磁感强度为B的均匀磁场中,磁场方向垂直纸面向里,其范围从X=0延伸到无限远处,如果质点在X=0和Y=0处进入磁场,则它将以速度-V从磁场中某一点出来,这点坐标是X=0和( ) /( )A y mV qB??( ) 2 /( )B y mV qB??( ) 2 /( )C y mV qB??( ) /( )D y mV qB??B?????????????,q m?V?B?yxACBA4、顺磁物质的磁导率:(A)比真空的磁导率略小。(B)比真空的磁导率略大。(C)远小于真空的磁导率。(D)远大于真空的磁导率。B5、如图,导体棒AB在均匀磁场中绕通过C点的垂直于棒长且沿磁场方向的轴OO’转动,BC的长度为棒长的1/3,则:(A)A点比B点电势高。(B)A点与B点电势相等。(C)A点比B点电势低。 (D)有稳定的电流从A点流向B点。B?OO?,平行板电容器(忽略边缘效应)充电时,沿环路L1,L2磁场强度的环流中,必有:1L2L?????21)(LLldHldHA?????????21)(LLldHldHB?????????21)(LLldHldHC????0)(1???LldHD??7、某金属产生光电效应的红线波长为λ0,今以波长为λ(λ< λ0)的单色光照射该金属,金属释放出的电子(质量为me)的动量大小为:E( ) /A h?0( ) /B h?002 ( )( )em hcC? ????02( )em hcD?002 ( )( )em hcE? ????DA8、电子显微镜中的电子从静止开始通过电势差为U的静电场加速后,,则U约为:(A)150V (B)330V (C)630V (D)940V9、已知粒子在一维无限深势阱中运动,其波函数为:)(23cos1)(axaaxax??????那么粒子在x=5a/6处出现的概率密度为:aDaCaBaA/1)(2/1)(/1)(2/1)(,正确的是:(A)本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体只有一种载流子参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.(B) n型半导体的性能优于p型半导体,因n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.(C)n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.(D)、无限长直导线在P处弯成半径为R的圆,当通以电流I时,则在圆心O点的磁感应强度大小等于方向为2、一平行板电容器,两极间充满各向同性均匀电介质,已知相对介电常数为εr,若极板上的自由电荷面密度为σ,则介质中电位移的大小D= . 电场强度的大小D??0rE?? ??0112IBR??? ?? ?? ?? ?垂直纸面向里RIoP二、填空题1、真空中有一均匀电点球面,球半径为R,总带电量为Q(>0),今在球面上挖去一很小面积dS(连同其上电荷),设其余部分的电荷仍均匀分布,则挖去以后球心处的电场强度为球心处电势为(设无限远处电势为零)。2 401 6Q d SR? ?04QR? ?ORdSHRr2IR?2Ir?oBRr2IR??2Ir??oR+d02Ir??2 ( )IR d???02 ( )IR d???4、一半径为R圆柱形导体,筒壁很薄,可视为无限长,通以电流I,筒外有一层厚为d,磁导率为μ的均匀顺磁性介质,介质外为真空,画出此磁场的H-r图及B-r图7、根据量子力学理论,氢原子中电子的动量矩在外磁场方向上的投影为 ,当角量子数l=2时,Lz的可能值为