文档介绍：.
*
光子探测器
M－光电增益
输出光电流
光电导探测器：M可以大于1
光电三极管： M~102
雪崩光电二极管：M~103
？？？？ M~106
第5章光电子发射探测器
.
*
第5章光电子发射探测器
Photoemissive detector,简称PE探测器
－－也称为真空光电器件
光电发射器件是基于外光电效应的器件，它包括真空光电二极管、光电倍增管、变像管、像增强管和真空电子束摄像管。
.
*
光电管：
光电倍增管：
被半导体光电器件取代
极高灵敏度～106
快速响应～pS
应用：
微弱光信号、快速脉冲弱光信号
－－也称为真空光电器件
第5章光电子发射探测器
Photoemissive detector,简称PE探测器
缺点：结构复杂工作电压高体积庞大
优点：灵敏度高稳定性好响应速度快噪声小
.
*
具有外光电效应的材料
－－光电子发射体
光电子发射探测器中的光电子发射体
－－又称为光电阴极
光电阴极是完成光电转换的重要部件，其性能好坏直接影响整个光电发射器件的性能！！！
第5章光电子发射探测器
.
*
光电阴极
光电管和光电倍增管结构原理
光电倍增管的主要特性参数
光电倍增管的工作电路
第5章光电子发射探测器
.
*
光电阴极
良好的光电发射材料具备的条件：
a 光的吸收系数大
b 光电子在体内传输过程中受到的能量损失小
c 表面势垒低，表面逸出几率大
.
*
常用的光电阴极材料
反射系数大、吸收系数小、碰撞损失能量大、逸出功大－－适应对紫外灵敏的光电探测器。
光吸收系数大得多，散射能量损失小，量子效率比金属大得多－－光谱响应：可见光和近红外波段。
金属：
半导体：
常规光电阴极
负电子亲和势阴极
半导体材料广泛用作光电阴极
.
*
（1）、银氧铯(Ag-O-Cs)光电阴极
1、常规光电阴极
峰值波长：350nm, 800nm
光谱响应范围约300-1000nm；
％；
使用温度100°C；
暗电流大。
最早的光电阴极，主要应用于近红外探测
.
*
（2）单碱锑化物：
金属锑与碱金属锂、钠、钾、铷、铯中的一种化合，能形成具有稳定光电发射的发射体。
最常用的是锑化铯（CsSb），其阴极灵敏度最高，量子效率为15－25％，蓝光区量子效率高达30%，长波限为：600nm。广泛用于紫外和可见光区的光电探测器中。光谱响应范围较窄对红光＆红外不灵敏
CsSb阴极最为常用，紫外和可见光区的灵敏度最高
（3）多碱锑化物：
Sb－Na－K－Cs 最实用的光电阴极材料，高灵敏度、宽光谱，红外端延伸930nm，用于宽带光谱测量仪，扩展到近红外。
.
*
（4）紫外光电阴极
光电阴极只对所探测的紫外辐射信号灵敏，而对可见光无响应，这种阴极通常称为“日盲”型光电阴极。
“日盲”型光电阴极
实用的两种：
碲化铯(CsTe)－－
碘化铯(Csl) －－ μm。
响应范围(100—280nm)