文档介绍：方忠慧
芯片工艺及光电特性介绍
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LD芯片工艺及光电特性
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半导体激光器具体设计：
根据不同的应用要求需要激光器有许多不同的设计：
据光纤通信系统的要求，发射器件一般采用1310nm、1550nm波长的F-P或DFB结构大功率、高线性以及温度特性好的器件：普通采用InGaAsP/InP材料系MQW有源层设计，如果要求较大温度范围内工作的无制冷激光器可以采用AlGaInAs/InP材料系MQW有源层设计；根据应用要求可以制作F-P、DFB结构，根据波导结构可以制作RWG和BH两种。
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半导体激光器（Laserdiodes）利用电子注入后半导体材料发生受激辐射并通过相干光子的谐振放大实现激光的输出，在调制电信号输入后完成光信号的输出。
其激射工作需要满足3个基本条件：要有能实现电子和光场相互作用的半导体材料；要有注入能量的泵浦源；要有一个谐振腔并满足振荡条件。
半导体激光器工作原理
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FP
DFB
RWG
BH
RWG
BH
InGaAsP/InP
AlGaInAs/InP
InGaAsP/InP
InGaAsP/InP/AlInAs
InGaAsP/InP
AlGaInAs/InP
AlGaInAs/InP
InGaAsP/InP
光纤通信用激光器芯片结构分类
LD
1310nm
1550nm
1490nm
850nm(VCSEL)
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P-InGaAs Contact layer
P-InP Contact layer
Etching Stop layer
Upper Confining layer
MQW Active region
Lower Confining layer
N-InP Buffer Layer
N-InP Substrate
FP LD Wafer
DFB LD Wafer
InGaAsP grating layer
Upper Confining layer
MQW Active region
Lower Confining layer
N-InP Buffer Layer
N-InP Substrate
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RWG结构 LD效果图
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两种结构的剖面图
RWG
B H
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DFB光栅
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典型的RWG--F-P LD制作工艺流程
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