文档介绍：2017-2-28 1方忠慧芯片工艺及光电特性介绍 2017-2-28 2LD芯片工艺及光电特性 2017-2-28 3 半导体激光器具体设计: 根据不同的应用要求需要激光器有许多不同的设计: 据光纤通信系统的要求,发射器件一般采用 1310nm 、1550nm 波长的 F-P 或DFB 结构大功率、高线性以及温度特性好的器件:普通采用 InGaAsP/InP 材料系 MQW 有源层设计,如果要求较大温度范围内工作的无制冷激光器可以采用 AlGaInAs/InP 材料系 MQW 有源层设计;根据应用要求可以制作 F-P 、DFB 结构,根据波导结构可以制作 RWG 和BH两种。 2017-2-28 4半导体激光器( Laserdiodes )利用电子注入后半导体材料发生受激辐射并通过相干光子的谐振放大实现激光的输出,在调制电信号输入后完成光信号的输出。其激射工作需要满足 3个基本条件: 要有能实现电子和光场相互作用的半导体材料;要有注入能量的泵浦源;要有一个谐振腔并满足振荡条件。半导体激光器工作原理 2017-2-28 5 FP DFB RWG BH RWG BH InGaAsP/InP AlGaInAs/InP InGaAsP/InP InGaAsP/InP/AlInAs InGaAsP/InP AlGaInAs/InP AlGaInAs/InP InGaAsP/InP 光纤通信用激光器芯片结构分类 LD 1310nm 1550nm 1490nm 850nm(VCSEL) 2017-2-28 6 N-InP Substrate N-InP Buffer Layer Lower Confining layer MQW Active region Upper Confining layer Etching Stop layer P- InP Contact layer P- InGaAs Contact layer FP LD Wafer DFB LD Wafer N-InP Substrate N-InP Buffer Layer Lower Confining layer MQW Active region Upper Confining layer InGaAsP grating layer 2017-2-28 7 RWG 结构 LD 效果图 2017-2-28 8 两种结构的剖面图 RWG B H 2017-2-28 9 DFB 光栅 2017-2-28 10 典型的 RWG--F-P LD 制作工艺流程 RWG -F-P 外延片的清洗淀积绝缘介质膜剥离及 N面减薄 N 面溅射 T i/ Pt/ Au p 面溅射 T i/Pt/A u 蒸镀光学膜解理为 bar 解理为 chip 管芯封装老化筛选合金镀膜后的测试光刻腐蚀双沟波导结构光刻制作高频电极光刻及刻蚀接触条镀膜前的抽样老化