文档介绍：课程名称:半导体工艺原理与技术
课程编号:1202011
课程学分:4
适用专业:微电子
半导体工艺原理与技术
(Technology and Theory of semiconductor Manufacturing Process)
教学大纲
一、课程性质与任务
本大纲适用信息工程学院微电子专业《半导体工艺原理与技术》课程,为专业选修课。
通过本课程学习,使学生对半导体器件和半导体集成电路制造工艺及原理有一个较为完整和系统的概念,了解集成电路制造相关领域的新技术、新设备、新工艺,使学生具有一定工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高产品质量的能力。
二、课程内容及要求
半导体衬底
掌握晶体生长技术(直拉法、区熔法),硅圆片制备及规格,晶体缺陷,硅中杂质。
扩散
掌握杂质扩散机理,扩散系数和扩散方程,扩散杂质分布,扩散结果测量,了解常用扩散工艺及系统设备。
离子注入
了解离子注入系统组成,浓度分布,注入损伤和退火,离子注入特点及应用。
氧化
掌握SiO2结构及性质,硅的热氧化,影响氧化速率的因素,氧化缺陷,掩蔽扩散所需最小SiO2层厚度的估算,SiO2薄膜厚度的测量。
光刻
掌握光刻工艺流程,光刻缺陷控制及检测,光刻技术分类(光学光刻,非光学光刻),了解最新的光刻工艺技术动态。
真空技术和等离子体
掌握真空技术基础知识,真空系统组成,等离子体基本原理及应用。
刻蚀
掌握刻蚀分类(湿法刻蚀、干法刻蚀),常用刻蚀液组成及应用,干法刻蚀系统原理及结构组成。了解半导体生产中常用材料的刻蚀技术。
薄膜技术
了解溅射、蒸发原理及系统组成,形貌及台阶覆盖问题的解决;化学汽相淀积(CVD)基本化学过程及动力学原理,各种不同材料、不同模式CVD方法系统原理及构造;外延生长机理,外延层杂质浓度分布,外延缺陷控制及外延厚度和电阻率的测量。
工艺集成
掌握器件隔离、接触和金属化原理及工艺技术方法;双极、CMOS、BiCMOS工艺技术方法及工艺步骤;了解GaAS工艺基础。
集成电路制造过程控制技术
了解集成电路制造过程中质量管理基础知识,统计技术应用,生产的过程控制技术。
三、学时分配(总64学时)
内容讲课学时实验
2 4
4 6
2 2
2 2
4 2
2
4 4
6 4
4 8
2
合计 32 32
四、本课程与其它相关课程的联系
本课程学习要求学生具备《半导体物理》和《半导体器件》课程基础。
五、实践性教学内容的要求与安排
本课程的一个重要环节是实践内容,通过实践使学生加深对理论的认识,增强处理问题的能力。针对现有条件,进行下列实验性内容:
半导体工艺多媒体实验平台的应用;(2学时)
工艺模拟软件的基本操作;(2学时)
用工艺模拟软件进行扩散工艺模拟;(2学时)
用工艺模拟软件进行氧化工艺模拟;(2学时)
用工艺模拟软件进行离子注入工艺模拟;(2学时)
用工艺模拟软件进行CVD工艺模拟;(2学时)
用工艺模拟软件进行外延工艺模拟;(2学时)
用工艺模