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摘要蹵、相变存储器以及阻变存储器。其中因其具有发展速度。随着工艺节点不断往前推进,当前市场上主流非挥发性存储技术——国内外半导体产学研界纷纷对募倘握摺!O乱淮滦头腔臃⑿源娲⑵髡摩尔定律问世已多年,人们无不惊讶于半导体芯片制造工艺令人目眩的“闪存庥龅窖现氐募际跗烤保饕J腔诟≌ご娲⒒频腇存储器随技术代发展的可缩小性受阻。而在当今信息社会中,伴随着时代、高清时代、海量存储等概念的日益盛行,市场对掉电后仍具有数据保持能力的非挥发性存储器的诉求在往体积更小、存储密度更大、可靠性更高的方向发展。针对这种局面,开研究,主要包括分立式电荷存储器⑻绱娲⑵⒋糯娲⑵高速、高密度、低功耗、高集成度、多值存储、制备工艺简单以及低成本等优势,引起了人们的广泛关注并成为现阶段的研究热点,成为下一代“通用存储器”的有力竞争者之一。本论文围绕、这两种在现代工艺中被认为是很有希望的高橹什牧希捎孟碌缂狿系缂狢庖唤衔3墒斓牟牧体系,开展了对器件的集成结构和采用电流扫描方式进行编程的研究。针对单管器件在集成阵列时遇到的交叉串扰问题以及在小限流情况下出现的限流失效问题,我们探索了集成结构的制备工艺及其相应的测试方法。,采用这种方式进行集成可以在兼容现代工艺的前提下对更多的材料体系开展研究工作,同时我们在集成时采用将阻变存储器的下电极引出作为监视电极的方法,有针对性的对同一个器件在采用不同限流方式下的器件性能进行了比较,采用集成结构时,晶体管不仅可以作为阵列中的选通器件,而且在单个存储单元中还能作为阻变存储器从高阻态向低阻态置位僮魇钡南蘖髌骷2捎镁骞这一理想限流器时可以对阻变存储器低阻态的大小进行更为有效的控制,进而实现多值存储。目前研究看来,基于固态电解质体系的器件的物理机制相对比较清
的目的,从而改善低阻态分布的均一性,这一工作提供了改善参数分布晰,但制约这类器件发展的关键因素之一就是在于其电阻转变参数分布的离散性过大。为了改善电学参数分布的均一性,我们在不改变器件材料体系和结构的情况下对其采用电流扫描方式进行编程操作。相对于传统的电压扫描方式,这种新的编程方法可以通过在器件从低阻态复位罦咦杼的过程中由于其类似于正反馈式的能量积累方式,消除复位过程中的中间态直接使器件达到最终态,从而改善高阻态分布的均一性。另外,在采用电流扫描对器件进行从高阻态置位低阻态的操作时,可以达到固定导电细丝形成位置均一性的方法。关键词:非挥发性存储器;电阻转变型存储器;电阻转变;集成结构;编程方法基于阻变存储器集成结构和编程方法的研究
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录目摘⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯.目录⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第一章绪论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯引言⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.新型非挥发性存储器⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..至⑹降绾纱娲⑵⑵.糯娲⑵.啾浯娲⑵.璞浯娲⑵研究意义及研究内容⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯阻变存储器的材料体系⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..⑸湫вΑ阻变存储器的单元结构及集成⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯。结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯