文档介绍：技术方案
太阳能电池的分类
单晶硅太阳能电池
单晶硅太阳能电池的光电转换效率为 15%左右，最高的达到 24%，这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的，但制作成本很大，以致于它还不能被大量广泛和普
遍地使用。由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用，使用
寿命一般可达 15 年，最高可达 25 年。
多晶硅太阳能电池
多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少，其光电效率约 12%左右（ 2004 年 7 月 1 日日本夏普上市效率为 %世界最高效率多晶硅太阳能电池）。从制作成本上来讲，比单晶硅太阳能电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。此外，多晶硅
太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。从性能价格比来讲，单晶硅太阳能电
池还略好。
非晶硅太阳能电池
非晶硅太阳电池是 1976 年出现的新型薄膜式太阳电池，它与单晶硅和多晶硅太阳电池
的制作方法完全不同，工艺过程大大简化，硅材料消耗很少，电耗更低，它的主要优点是
在弱光条件也能发电。但非晶硅太阳电池存在的主要问题是光电转换效率偏低，目前为 10%左右，且不够稳定，随着时间的延长，其转换效率衰减。
多元化合物太阳电池多元化合物太阳电池指不是用单一元素半导体材料制成的太阳电池。现在各国研究的品种繁多，大多数尚未工业化生产，主要有以下几种： a）硫化镉太阳能电池 b）砷化镓太阳能电
池c）铜铟硒太阳能电池（新型多元带隙梯度 Cu（ln,Ga）Se2薄膜太阳能电池）Cu（ln,Ga）Se2 是一种性能优良太阳光吸收材料，具有梯度能带间隙（导带与价带之间的能级差）多元的半导体材料，可以扩大太阳能吸收光硅薄膜太阳能电池明显提高的薄膜太阳能电池。可以
达到的光电转化效率为 18%，而且，此类薄膜太阳能电池到目前为止，未发现有光辐射引
致性能衰退效应（SWE），其光电转化效率比目前商用的薄膜太阳能电池板提高约50~75%，
在薄膜太阳能电池中
工艺技术方案根据产品方案，本项片的开箱检测与装盒
测、等离子体刻蚀周减反射层、印刷背面合格后入库。太阳能太阳能电池生产工艺
的工艺路线，基本上是从硅扩散制作表面 PN 结然后检
属于世界的最高水平的光电转化效率。
目主要生产工艺的流程采用国内较为成熟
开始，然后在加工车间去除油污及制裁、
边 PN 结及抽测效果、二次清洗，然后在表面处理车间完成制备薄膜电极、背电场、正面电极，然后经过高温烧结，最后经检测车间检测电池硅片生产工艺流程图如下：
流程图
主要工艺流程说明：
清洗、制绒：首先用碱（或酸）腐蚀硅片，以去除硅片表面机械损伤。而后进行硅片表面绒化，现在常用的硅片的厚度 180um 左右。去除硅片表面损伤层是太阳电池制造的第一道常规工序，主要是通过化学腐蚀，硅片化学腐蚀的主要目的是消除切片带来的表面损伤，同时也能起到一定的绒面效果，从而减少光反射。
甩干：清洗后的硅片使用离心甩干机进行甩干。
扩散、刻蚀：多数厂家都选用p型硅片来制作太阳电池，那么一般用 P0CI3液态源作为
扩散源。扩散设备可用横向石英管或链式扩散炉，进行磷扩散形式 n 型层。扩散的最高温
度可达到850-900 C。这种方法制出的结均匀性好，方块电阻的不均匀性小于10%,光子
寿命大于 10 微秒。扩散过程遵从如下反应式：
4POCI+3O（过量） 2PO+2CI （气）
2PO + 5Si 5SiO2 + 4p
背腐蚀去磷硅玻璃和边缘P-N节：用化学方法除去扩散层 SiO2与HF生成可溶于水的SiF,
从而使硅表面的磷硅玻璃（掺PO的SiO）溶解，化学反应为：
SiO +6HF H（ SiF） +2HO
减反射：采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD技术在电池表面沉积一一层氮化硅减
反射膜,不但可以减
少光的反射,由于在制备
SiNx 减反膜过程中大量的氢原子进入,能够
起到很好的表面钝化明显的表面钝化和体对光的吸收性的同时
多晶硅材料而言,由于具有
来制作太阳电池。由于增强
内钝化作用,从而提高了电
和体钝化的效果,这对于具有大量晶界的
钝化作用,因此可以用比较差一些的材料
,氢原子对太阳电池起到很好的表面和体池的短路电流和开路电压。
印刷 +烧结：为了从电池上获取电流,一般在电池的正、背两面制作电极。正面栅网电极
的形式和厚度要求一方面要有高的透