文档介绍：09届本科毕业设计(论文)外文
文件翻译
学院: 物理和电子工程学院
专业: 光电信息工程
姓名: 徐驰
学号: Y05209222
(用外文写)
外文出处: Surface & Coatings Technology
214（）131-137
附件: ; 。
附件1: 外文资料翻译译文
气体温度经过PECVD沉积对Si: H薄膜结构和光电性能影响
摘要
气体温度影响（TG）在等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）生长薄膜结构和光电特征: H薄膜已使用多个表征技术研究。气体温度被确定为制备工艺优化、结构和光电薄膜性能改善一个关键参数。薄膜结构性能进行了研究使用原子力显微镜（AFM）, 傅立叶变换红外光谱（FTIR）, 拉曼光谱, 和电子自旋共振（ESR）。另外, 光谱椭偏仪（SE）, 在紫外线–可见光区域光传输测量和电气测量被用来研究薄膜光学和电学性能。它被发觉在Tg改变能够修改表面粗糙度, 非晶网络秩序, 氢键模式和薄膜密度, 并最终提升光学和电学性能。
介绍
等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）是氢化非晶硅薄膜制备一个技术, 含有广泛实际应用关键材料。它是用于太阳能电池生产, 在夜视系统红外探测器, 和薄膜晶体管平板显示装置。全部这些应用全部是基于其良好电气和光学特征和和半导体技术兼容。然而, 依据a-Si性质, PECVD制备H薄膜需要敏感沉积条件, 如衬底温度, 功率密度, 气体流量和压力。很多努力已经花在制备高品质薄膜含有较低缺点密度和较高结构稳定性H薄膜。众所周知, 衬底温度强烈影响自由基扩散生长表面上, 从而造成这些自由基更轻易定位在最好生长区。所以, 衬底温度一直是研究最多沉积参数。至于温度参数在PECVD工艺而言, 除了衬底温度, 气体温度（Tg）美联储在PECVD反应室在辉光放电是定制a-Si性能参数: H薄膜新工艺。实际上, TG PECVD系统改变能够影响等离子体能量在辉光放电, 并最终改变了薄膜性能。依据马丁吕, 当薄膜制作靠近前后颗粒形成机制在a-Si∶H薄膜, 薄膜性能对TG相关性比衬底温度更为显著。然而, 大多数研究到现在为止只集中在衬底温度影响。在我们以前研究中, 我们报道气体温度对磷结构演化影响掺杂a-Si∶H薄膜拉曼光谱。结果表明, 存在无定形网络逐步有序, 在很快表面和内部Tg增加区域, 造成更高质量a-Si
∶H薄膜。不过深入调查在TG影响结构和光电特征: H薄膜还没做好, 这正是本文目标。
在这项研究中, 用不一样气体温度PECVD沉积薄膜。使用多个表征技术研究了薄膜性能, 包含原子力显微镜（AFM）, 傅立叶变换红外光谱（FTIR）, 拉曼光谱, 电子自旋共振（ESR）, 光谱椭偏仪（SE）, 在紫外线–可见区和电气测量光学传输测量。

样品制备
用纯硅烷PECVD方法制备a-Si:H薄膜: 我们PECVD系统配置了一个平行板电极, 图1所表示:两个电极和分离面积为220平方厘米和2厘米, MW／cm2功率密度应用于上电极和下电极接地。 PECVD系统是在一个给定4小时在反应室达成平衡温度举行。严格根据以下标准程序,全部衬底进行清洗, 以确保沉积衬底和薄膜之间附着力好之前。在洗涤剂溶液清洗后衬底上, 立即受到酒精超声波清洗, 序列中***和去离子水10分钟。基板被固定在样品架, 上面等离子区, 避免不良大颗粒污染。基板热源来自上层加热单元（钨丝）沉积过程中。气体热源加热带和较低加热单元（钨丝）。下加热单元作为保温。值得一提是, 在我们情况下, 气体温度是名义上, 因为它不是直接测量。 SiH4气体总流量为40 sccm（标准立方厘米每分钟）在全部沉积。沉积压力为60 Pa全部样品制备, 衬底温度固定在250°C。

分析了键合形成a-Si∶H薄膜, 布鲁克张量27傅立叶变换红外光谱（FTIR）装置是在室温下进行, 并在环境湿度控制在一个较低水平（相对湿度70%）。拉曼光谱, 在后向散射几何形状, 使用JYHR800光谱仪进行, 是用来对短程和中程尺度非晶硅网络秩序改变研究。 m W和梁失焦在一个直径2μm降低因为激光照射, 从而