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单个锗硅量子点和量子环的电学性质及其组分分布的研究.pdf

上传人:Horange 2014/6/27 文件大小:0 KB

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文档介绍

文档介绍:目录实验⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯~§.蚬谛瘟孔拥愕牡嫉绶植家约白榉址植肌§.孔踊返牡嫉绶植家约白榉址植肌§.煌榉諫孔踊返牡嫉绶植肌摘要⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯·第一章引言⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.§课题研究背景及意义⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.§本论文的结构安排⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.第二章§原子力显微镜⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.§导电原子力显微镜⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.原理及应用⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯·.测量中压力的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯~测量中电压的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯·.§静电力显微镜⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.§扫描电容显微镜⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯·..第三章单个锗硅量子点到量子环转变各阶段的电学性质⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..§引言⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯”.§实验⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..§结果与讨论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..覆盖层厚度对形貌的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..§.鹱炙瘟孔拥愕牡嫉绶植家约白榉址植肌§小结⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯·..第四章量子环的导电分布机理研究⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯~§引言⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..§实验⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.§结果与讨论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯·..§.孔踊返淖榉址植肌§.煌榉諫孔踊返暮傻缧灾省ぃ§.煌榉諫孔踊返脑亓髯优ǘ确植肌§小结⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..§.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯
致谢⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯一
单个锗硅量子点和量子环的电学性质及其组分分布的研究堑理堂系猛鐾查塑堡堂专业学生姓名:韭生型指导教师:扬堑蕴副熬援摘要本论文主要通过扫描探针显微镜对分子束外延自组织生长的单个量子点和量子环的电学性质进行研究,结合单个量子点和量子环的组分分布,探讨了单个量子点和量子环的导电分布机理。主要结果如下:⑹褂玫嫉缭恿ο晕⒕芯苛薌孔拥阍诟哺荢纬闪孔踊的过程中其导电性质的变化。当未覆盖时,量子点呈现球冠形,其电导分布呈环状,在量子点侧面的导电性比其顶部要好得多,并且一些量子点的导电分布呈非中心对称。当覆盖层厚度为时,量子点形状由球冠形转变为面的金字塔形,其导电分布为十字形,棱边强、侧面弱。当覆盖层厚度为时,量子点形状完全转变为量子环,其导电分布为环状,量子环中心不导电。通过与:涎≡裥曰Ц吹姆椒ǖ玫降淖榉址植枷喽员瓤芍#呵蚬谛瘟孔点的导电主要由组分决定并受到形貌的影响,金字塔形量子点的导电分布主要由组分以及棱边上的电场增强效应决定。对量子环而言,组分分布对导电分布影响不大,由形貌决定的电子结构可能对其导电分布起主要作用。⒍酝ü≡裥曰Ц吹玫降牟煌珿榉趾康牧孔踊返牡缌鞣植纪进行测试。结果发现,各种不同组分的量子环均为环状导电分布,与组分无关。参照现有的理论计算的结果,我们提出了量子环的导电机理:量子环的形貌决定其绝热势为环中心高,使得电子基态主要分布在量子环的环形区域,该区域的载流子浓度比其它位置高,使得量子环环形区域的导电性比富的环中心好。结果显示出在环形区域的载流子浓度比环中心高,验证了上述观点。另外从量子环的峁⑾郑孔踊返幕沸吻蛟谕饧拥绯∠赂菀赘杏Σ绾桑明环形区域的电场更大,从而也增加其导电性。⑹褂肅芯苛薌孔踊吩诓煌沽ο碌牡缌鞣植肌5缌鞣植己甐结果都表明:随着力的增加,量子环和浸润区域的导电性增强;当压力超过一个阈值后量子环上的导电性变差,当压力足够大时浸润区域的导电性会超过量子环上的导电性。原因可能是大压力下测试时量子环磨损严重或者大压力扫描使得量子环被压矮,其形貌发生的变化导致了量子环中的电子态分布也发生改变。而量子点样品表面导电性都随着压力的增加而增大。这可能是由于量子点的高度中英文摘要
比量子环大很多,压力变形或者磨损量相对整体高度比例较小,电子态变化微弱。最后,本论文通过对定位技术的描述以及孛媾坠夤ひ盏目疾焯岢隽未来进一步研究量子点体系微观性质与特征的一些看法。关键字:锗硅量子点,锗硅量子环,导电原子力显微镜,静电力显微镜,扫描电容显微镜,选择性化学腐蚀中图分类号:,,,.中英文摘要
,,,,.瑆,.,Ⅱ.’